在智能手機(jī)邁向更高集成度與智能化的進(jìn)程中，射頻前端模組（RFFEM）作為實(shí)現(xiàn)通信功能的核心“引擎”，正經(jīng)歷深刻的技術(shù)演進(jìn)。它不僅承擔(dān)著信號(hào)收發(fā)與處理的關(guān)鍵任務(wù)，更通過(guò)高度集成化、小型化和系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化，支撐5G、Wi-Fi 6/7及毫米波等復(fù)雜無(wú)線應(yīng)用，直接影響用戶體驗(yàn)中的連接速度、穩(wěn)定性和續(xù)航表現(xiàn)。

作為全球領(lǐng)先的芯片封測(cè)企業(yè)，長(zhǎng)電科技（JCET）憑借在系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）領(lǐng)域近20年的技術(shù)積累，持續(xù)加碼高端射頻前端模組封測(cè)布局，推出覆蓋設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試驗(yàn)證的一站式解決方案，助力客戶應(yīng)對(duì)5G多頻段、高帶寬帶來(lái)的封裝挑戰(zhàn)。

高密度異構(gòu)集成：實(shí)現(xiàn)小型化與高性能平衡

現(xiàn)代高端智能手機(jī)對(duì)空間利用極為苛刻，其射頻前端模組需將功率放大器（PA）、射頻開(kāi)關(guān)、濾波器/雙工器等多種異質(zhì)芯片高度集成于微小封裝內(nèi)。長(zhǎng)電科技采用高密度DsmBGA和3D SiP技術(shù)，支持最小008004尺寸被動(dòng)器件貼裝，貼裝精度達(dá)±15μm，顯著提升元件密度并縮小模組面積。結(jié)合雙面SiP封裝工藝，進(jìn)一步壓縮垂直空間占用，滿足旗艦機(jī)型對(duì)輕薄化和高集成度的極致需求。

先進(jìn)屏蔽與空腔結(jié)構(gòu)：保障高頻信號(hào)完整性

隨著通信頻率向毫米波延伸，電磁干擾（EMI）成為影響性能的關(guān)鍵因素。長(zhǎng)電科技采用濺射工藝實(shí)現(xiàn)選擇性或分腔式電磁屏蔽，精準(zhǔn)覆蓋敏感電路區(qū)域，有效隔離模塊內(nèi)部各功能單元間的串?dāng)_。同時(shí)，針對(duì)BAW、SAW等對(duì)環(huán)境敏感的濾波器芯片，提供空腔保護(hù)封裝方案，在避免額外成本的同時(shí)提升高頻穩(wěn)定性，確保信號(hào)傳輸?shù)募儍襞c可靠。

全鏈條能力支撐：從封裝到系統(tǒng)驗(yàn)證

除先進(jìn)封裝工藝外，長(zhǎng)電科技構(gòu)建了覆蓋射頻微波、毫米波、5G蜂窩及無(wú)線通信的綜合驗(yàn)證測(cè)試平臺(tái)，支持從裸芯片、封裝體到完整模組的協(xié)同測(cè)試，確保產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景下的性能一致性與長(zhǎng)期可靠性。

長(zhǎng)電科技副總裁、工業(yè)和智能應(yīng)用事業(yè)部總經(jīng)理金宇杰表示：“我們已建立穩(wěn)健的全球交付體系，具備大規(guī)模量產(chǎn)高端射頻模組的能力。未來(lái)將持續(xù)深化在AiP（Antenna-in-Package）、毫米波雷達(dá)及車(chē)規(guī)級(jí)射頻SiP領(lǐng)域的布局，為智能終端、汽車(chē)電子和衛(wèi)星通信提供高性能、高可靠性的封測(cè)服務(wù)。”

依托強(qiáng)大的技術(shù)平臺(tái)與量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，長(zhǎng)電科技正加速推動(dòng)射頻前端模組向更小、更強(qiáng)、更智能的方向發(fā)展，為下一代智能設(shè)備的無(wú)線連接體驗(yàn)提供堅(jiān)實(shí)支撐。