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在 2025 年半導體市場創(chuàng)新表現(xiàn)評選中，英飛凌科技憑借兩款突破性碳化硅器件 —— 第二代 CoolSiC? MOSFET G2 1400V 分立器件與 1200V Easy C 系列模塊，成功斬獲 “年度優(yōu)秀功率器件產品獎”。英飛凌工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)市場總監(jiān)王丹現(xiàn)場領獎，這一榮譽印證了其在功率半導體領域的技術領導力。
聚焦高母線電壓應用需求，1400V CoolSiC? MOSFET G2 系列通過兩項關鍵設計升級實現(xiàn)性能躍升：一是將功率管腳規(guī)格提升至 2mm，大幅強化電流承載能力，輕松應對母線電壓超 1000V 的嚴苛工況；二是引入背板回流焊工藝，顯著增強器件長期運行可靠性，為風電、光伏等高壓電力電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定保障。目前該系列已推出 TO-247、TO-247 Plus Reflow 兩種封裝，其導通電阻（Rdson）最低僅 6 毫歐，參數(shù)指標處于行業(yè)前列。
另一款獲獎產品 1200V CoolSiC? MOSFET G2 Easy C 系列模塊，憑借多維度創(chuàng)新成為行業(yè)焦點。芯片端采用新一代 G2 技術，使 RDS (on)*A 乘積降低 25%，輸出功率提升近 30%，能效表現(xiàn)達到行業(yè)頂尖水平；材料層面選用耐高溫創(chuàng)新材質，不僅支持 175°C 常規(guī)工作溫度，即便在 200°C 過載環(huán)境下仍能穩(wěn)定運行；引腳設計上，全新 PressFIT 結構實現(xiàn)電流承載能力翻倍，既降低 PCB 工作溫度，又簡化安裝流程，同時提供兩種 Pin 腳連接方案，適配不同應用場景需求。
英飛凌這兩款獲獎器件，在高壓適配能力、能效提升及可靠性優(yōu)化上的突破，為電力電子領域提供了更高效的解決方案，未來有望進一步推動新能源發(fā)電、工業(yè)電機控制等領域的技術升級與產品迭代。
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2025年8月7日，以“開放變革：筑基、擴展、進化”為主題的“2025開放計算技術大會”在北京舉行。本次大會由開放計算項目（OCP）與開放計算標準工作委員會（OCTC）聯(lián)合主辦，吸引了近千家數(shù)據(jù)中心產業(yè)鏈企業(yè)及來自互聯(lián)網、金融、電信、能源等行業(yè)的技術專家齊聚一堂，聚焦開放計算前沿技術與AI...【詳情+】
2025年，英飛凌迎來進入中國市場的第三十周年。從晶體管時代起步，歷經PC、通信、工業(yè)自動化，直至如今的人工智能與碳中和浪潮，這家全球領先的半導體企業(yè)不僅見證了中國科技產業(yè)的飛速崛起，更深度參與其中，與客戶、合作伙伴及員工共同書寫了一段“共生共長”的行業(yè)敘事。“唯有改變，是...【詳情+】
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