在全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化和軟件定義深度演進的關(guān)鍵節(jié)點，英飛凌科技宣布推出其首款符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵（GaN）車規(guī)級晶體管系列——CoolGaN? 100V G1，標(biāo)志著GaN技術(shù)正式邁入主流汽車電子供應(yīng)鏈。此舉不僅填補了低壓車載系統(tǒng)中高效功率器件的空白，更彰顯了英飛凌在汽車半導(dǎo)體與寬禁帶技術(shù)雙賽道上的戰(zhàn)略領(lǐng)先。

此次發(fā)布的CoolGaN? 100V G1系列已開始提供預(yù)量產(chǎn)樣品，涵蓋高壓（HV）晶體管及多種雙向開關(guān)配置，專為滿足現(xiàn)代汽車對高能效、小體積與高可靠性的嚴(yán)苛要求而設(shè)計。相較于傳統(tǒng)硅基MOSFET，GaN器件憑借更高的電子遷移率和更低的導(dǎo)通/開關(guān)損耗，可在相同功率下實現(xiàn)30%以上的體積縮減和顯著提升的轉(zhuǎn)換效率，尤其適用于電池供電敏感的車載場景。

隨著軟件定義汽車加速從12V向48V電氣架構(gòu)過渡，整車對分布式電源管理的需求激增。英飛凌指出，新型100V GaN晶體管特別適用于區(qū)域控制器中的主DC-DC轉(zhuǎn)換器、高性能輔助電源、D類音頻放大器以及下一代信息娛樂系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中，GaN不僅降低了靜態(tài)功耗，還通過高頻開關(guān)能力簡化了磁性元件設(shè)計，從而縮小整體電源模塊尺寸，為緊湊型電子艙布局釋放寶貴空間。

“汽車正從機械平臺轉(zhuǎn)變?yōu)橐苿訑?shù)據(jù)中心，”英飛凌GaN業(yè)務(wù)線負責(zé)人Johannes Schoiswohl表示，“ADAS、智能座艙、電控底盤等系統(tǒng)對電力的需求持續(xù)攀升。CoolGaN?車規(guī)級產(chǎn)品正是為這一轉(zhuǎn)型量身打造——它讓更高性能與更低能耗不再互斥。”

值得注意的是，該系列產(chǎn)品是英飛凌構(gòu)建完整車用GaN生態(tài)的重要一環(huán)。公司已規(guī)劃擴展至更高電壓等級（如650V），以覆蓋車載充電器（OBC）和牽引逆變器等核心動力系統(tǒng)。結(jié)合其成熟的SiC與硅基IGBT產(chǎn)品線，英飛凌正打造覆蓋全電壓域的寬禁帶半導(dǎo)體解決方案矩陣。

在碳中和與能效法規(guī)雙重驅(qū)動下，GaN正從消費電子快速滲透至汽車領(lǐng)域。英飛凌此次率先推出AEC-Q101認(rèn)證的100V GaN器件，不僅驗證了其材料可靠性與制造工藝成熟度，更為行業(yè)樹立了車規(guī)級GaN的設(shè)計與驗證標(biāo)桿。隨著軟件定義汽車對電力電子提出更高要求，GaN有望成為下一代車載電源架構(gòu)的“新基石”，而英飛凌無疑已搶占先機。

英飛凌新型CoolGaN? 100V G1車規(guī)級晶體管現(xiàn)已上市。目前可選型號有：IGC033S10S1Q和IGB110S10S1Q。

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