全球半導體兩大巨頭——日本羅姆（ROHM）與德國英飛凌（Infineon）近日宣布，雙方已就碳化硅（SiC）功率器件封裝技術合作簽署備忘錄，旨在建立互為“第二供應商”的戰(zhàn)略協(xié)作機制。此次合作聚焦車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據中心等高增長領域，將顯著提升客戶在產品設計與供應鏈管理中的靈活性與可靠性。

封裝互認：提升設計自由度與供應韌性

根據協(xié)議，羅姆與英飛凌將互相采用對方的先進SiC封裝平臺，并確保產品引腳兼容。這意味著未來客戶可從兩家公司采購相同封裝規(guī)格的SiC器件，實現(xiàn)無縫替換，降低單一供應商依賴風險，增強供應鏈韌性。

這一舉措在當前全球半導體供應鏈持續(xù)面臨不確定性的背景下尤為重要。通過建立“雙源供應”機制，客戶在面臨產能緊張或交期波動時，可快速切換供應商，保障項目進度，同時在BOM管理與庫存策略上獲得更大靈活性。

技術互補：融合雙方封裝創(chuàng)新優(yōu)勢

此次合作深度融合了羅姆與英飛凌在功率封裝領域的核心技術。

英飛凌的頂部散熱平臺（Top-Side Cooling, TSC） 將被羅姆采用。該平臺涵蓋TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK等多種封裝形式，統(tǒng)一高度為2.3mm。標準化設計簡化了散熱系統(tǒng)開發(fā)，降低系統(tǒng)級成本，同時提升基板空間利用率。頂部散熱結構可有效減少熱阻，實現(xiàn)更均勻的溫度分布，支持更高功率密度設計，部分應用中功率密度提升可達兩倍。

與此同時，英飛凌將引入羅姆的半橋結構SiC模塊“DOT-247”。該封裝采用創(chuàng)新設計，將兩個TO-247器件集成于同一封裝內，形成緊湊的半橋模塊。相比傳統(tǒng)分立式TO-247方案，DOT-247封裝熱阻降低約15%，寄生電感減少50%，顯著改善開關性能與熱管理效率。其功率密度達到傳統(tǒng)TO-247的2.3倍，特別適用于高頻率、高效率的功率轉換場景。

英飛凌計劃基于DOT-247封裝開發(fā)新的SiC半橋解決方案，進一步豐富其Double TO-247 IGBT產品線，滿足市場對高性能SiC模塊日益增長的需求。

共推SiC普及，賦能低碳未來

SiC功率器件憑借其高開關頻率、低導通損耗和優(yōu)異的高溫性能，已成為實現(xiàn)高效電力轉換的核心技術。在電動汽車、可再生能源和AI數(shù)據中心等對能效和功率密度要求極高的應用中，SiC正加速替代傳統(tǒng)硅基器件。

英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer表示：“我們很高興與羅姆合作，加速SiC技術的普及。此次合作不僅為客戶提供了更多選擇，還將推動高能效低碳應用的創(chuàng)新。”

羅姆功率器件事業(yè)部負責人伊野和英強調：“這不僅是封裝合作，更是解決方案生態(tài)的拓展。我們期待通過協(xié)同創(chuàng)新，降低系統(tǒng)設計復雜性，共同開拓功率電子的未來。”

未來展望：合作向寬禁帶半導體延伸

雙方計劃將合作范圍從當前的SiC器件擴展至更多封裝類型，并探索在氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體領域的協(xié)作可能性。此舉將進一步深化兩家公司在功率電子領域的戰(zhàn)略伙伴關系，為客戶提供更全面、更靈活的解決方案組合。

結語

羅姆與英飛凌的此次合作，標志著功率半導體行業(yè)從“競爭”向“競合”模式的重要演進。通過封裝標準化與雙源供應，兩大巨頭正在構建一個更開放、更穩(wěn)健的SiC生態(tài)系統(tǒng)。這不僅將加速SiC技術在各行業(yè)的滲透，也為全球能源轉型和碳中和目標提供了強有力的技術支撐。未來，隨著合作深化，一個更加互聯(lián)互通、高效可靠的功率電子新生態(tài)正在成型。