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意法半導(dǎo)體STripFET F8 MOSFET:40V/100V工業(yè)級(jí)高效功率器件

來源:意法半導(dǎo)體| 發(fā)布日期:2025-10-12 18:00:01 瀏覽量:

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的STripFET F8系列功率MOSFET,憑借其顯著優(yōu)化的性能參數(shù),正成為工業(yè)級(jí)電源設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵器件。該系列涵蓋40V和100V電壓等級(jí),與前代產(chǎn)品相比,品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit, FoM = RDS(on) × Qg)提升高達(dá)40%,為工程師設(shè)計(jì)高效率、高功率密度的電源系統(tǒng)提供了有力支持。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)與性能指標(biāo)

STripFET F8采用先進(jìn)的制程技術(shù),優(yōu)化了器件的導(dǎo)通與開關(guān)特性,主要優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

更低的RDS(on):降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。以40V器件STL300N4F8為例,其典型RDS(on)低至1.1mΩ,適用于大電流應(yīng)用場(chǎng)景。

優(yōu)化的柵極電荷(Qg):降低驅(qū)動(dòng)損耗,支持更高開關(guān)頻率。低Qg特性有助于減少動(dòng)態(tài)損耗,提升整體能效。

更高的開關(guān)頻率能力:得益于更低的器件電容(Ciss、Crss、Coss),F(xiàn)8系列可實(shí)現(xiàn)更快的換向速度,適用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等拓?fù)洹?/p>

意法半導(dǎo)體STripFET F8 MOSFET

電壓等級(jí)與應(yīng)用場(chǎng)景

STripFET F8系列提供兩種主要電壓等級(jí),滿足不同系統(tǒng)需求:

40V器件(如STL300N4F8):適用于12V電池供電系統(tǒng),典型應(yīng)用包括:

計(jì)算機(jī)與外設(shè)電源(VRM、POL轉(zhuǎn)換器)

服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源模塊

無人機(jī)電調(diào)(ESC)

電動(dòng)工具和家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)

工業(yè)電源和電池充電器

100V器件:針對(duì)更高母線電壓的應(yīng)用,適用于:

電信整流器(48V系統(tǒng))

工業(yè)電源

太陽能微逆變器

服務(wù)器PSU的PFC級(jí)和LLC級(jí)

高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器

此外,該系列提供標(biāo)準(zhǔn)電平(10V VGS驅(qū)動(dòng))和邏輯電平(4.5V–5V VGS驅(qū)動(dòng))兩種版本,便于與不同柵極驅(qū)動(dòng)IC匹配,提升設(shè)計(jì)靈活性。

增強(qiáng)的可靠性與魯棒性

針對(duì)工業(yè)應(yīng)用的嚴(yán)苛環(huán)境,STripFET F8在可靠性方面進(jìn)行了多項(xiàng)優(yōu)化:

更高的抗寄生導(dǎo)通能力:通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),降低米勒電容(Crss),減少因高dv/dt引起的誤觸發(fā)風(fēng)險(xiǎn),提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

100%雪崩測(cè)試:所有器件均經(jīng)過嚴(yán)格雪崩耐量測(cè)試,確保在感性負(fù)載開關(guān)或短路等異常工況下的魯棒性。

高結(jié)溫工作能力:最大工作結(jié)溫達(dá)175°C,支持高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)行。

MSL1級(jí)封裝:采用PowerFLAT 5x6 mm等無鉛封裝,符合工業(yè)級(jí)濕度敏感度要求,適用于自動(dòng)化焊接工藝。

典型器件:STL300N4F8

STL300N4F8是40V STripFET F8系列的代表性產(chǎn)品,主要參數(shù)如下:

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET

VDS:40V

RDS(on) max:1.3mΩ @ VGS = 10V

典型RDS(on):1.1mΩ @ VGS = 10V

Qg(典型值):較低,具體值參考數(shù)據(jù)手冊(cè)

封裝:PowerFLAT 5x6 mm

工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C(TJ)

該器件適用于大電流同步降壓轉(zhuǎn)換器、OR-ing電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)H橋等拓?fù)洌涞蚏DS(on)和低Qg的組合可顯著提升系統(tǒng)效率。

設(shè)計(jì)建議與應(yīng)用考量

在使用STripFET F8系列時(shí),建議注意以下幾點(diǎn):

PCB布局:優(yōu)化功率回路和驅(qū)動(dòng)回路,減小寄生電感,防止電壓過沖和振蕩。

熱管理:盡管器件RDS(on)低,但在高電流應(yīng)用中仍需合理設(shè)計(jì)散熱焊盤和散熱器。

驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)IC,確保足夠的驅(qū)動(dòng)電流以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān),同時(shí)避免過高的dv/dt引起EMI問題。

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