全球知名半導體制造商羅姆（ROHM） 與德國汽車零部件巨頭舍弗勒集團（Schaeffler）近日聯(lián)合宣布，雙方戰(zhàn)略合作取得關(guān)鍵進展：舍弗勒已正式啟動搭載羅姆碳化硅（SiC）MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚的量產(chǎn)。該產(chǎn)品專為中國大型汽車制造商定制，標志著SiC技術(shù)在電動汽車核心動力系統(tǒng)中的應(yīng)用邁入新階段。

突破800V，定義下一代電驅(qū)性能

作為電驅(qū)動總成的核心部件，牽引逆變器直接影響電動汽車的能效、續(xù)航與動力表現(xiàn)。此次量產(chǎn)的逆變磚最大亮點在于其突破了傳統(tǒng)800V平臺的電壓限制，支持更高電池電壓系統(tǒng)，可實現(xiàn)高達650Arms的峰值電流輸出。這一性能躍升，意味著車輛在高速行駛、急加速等高負載工況下具備更強的動力響應(yīng)能力，同時有助于提升整體系統(tǒng)效率。

得益于羅姆先進的SiC MOSFET技術(shù)，該逆變磚在實現(xiàn)高效率與高輸出功率的同時，還顯著縮小了產(chǎn)品體積，推動了電驅(qū)動系統(tǒng)的輕量化與緊湊化設(shè)計。這對于空間受限的電動汽車平臺尤為重要，有助于釋放更多空間用于電池布局或其他功能模塊，進一步優(yōu)化整車架構(gòu)。

SiC技術(shù)驅(qū)動能效革命

碳化硅作為第三代半導體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，具備更高的擊穿電場強度、更高的熱導率和更低的開關(guān)損耗。在電動汽車應(yīng)用中，SiC功率器件可顯著降低逆變器的導通與開關(guān)損耗，提升電能轉(zhuǎn)換效率，從而延長續(xù)航里程。同時，其高頻工作能力允許使用更小的無源元件，進一步減小系統(tǒng)尺寸和重量。

羅姆作為全球領(lǐng)先的SiC半導體供應(yīng)商，其SiC MOSFET裸芯片（die）以高可靠性、優(yōu)異的電氣性能和成熟的制造工藝著稱。此次直接采用裸芯片集成，不僅提升了功率密度，也體現(xiàn)了舍弗勒在先進封裝與系統(tǒng)集成方面的強大技術(shù)實力。

戰(zhàn)略合作深化，保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定

羅姆與舍弗勒的合作由來已久。自2020年建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系以來，雙方在電驅(qū)動技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)深化協(xié)同。2023年，雙方進一步簽署碳化硅功率器件長期供應(yīng)協(xié)議，旨在強化SiC芯片的供應(yīng)鏈體系，確保未來電動汽車大規(guī)模量產(chǎn)的穩(wěn)定供應(yīng)。

此次高電壓逆變磚的成功量產(chǎn)，正是這一戰(zhàn)略合作的實質(zhì)性成果。它不僅驗證了雙方在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品定義與制造協(xié)同方面的高度默契，也為未來更多聯(lián)合創(chuàng)新項目奠定了堅實基礎(chǔ)。

面向中國市場，加速電動化布局

值得注意的是，這款新型逆變磚是專為中國大型汽車制造商設(shè)計的。中國作為全球最大的新能源汽車市場，對高性能、高性價比電驅(qū)動系統(tǒng)的需求持續(xù)攀升。舍弗勒憑借其本土化布局與快速響應(yīng)能力，結(jié)合羅姆的尖端半導體技術(shù)，能夠更高效地滿足中國車企對技術(shù)創(chuàng)新和供應(yīng)鏈安全的雙重需求。

隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化轉(zhuǎn)型，高電壓平臺（如800V及以上）正成為高端電動車的主流趨勢。羅姆與舍弗勒此次推出的SiC逆變磚，不僅提升了單體產(chǎn)品的性能邊界，更通過規(guī)模化量產(chǎn)，推動了高電壓電驅(qū)技術(shù)的普及進程。

展望未來

此次合作成果表明，半導體廠商與 Tier 1 供應(yīng)商的深度綁定，已成為推動電動汽車核心技術(shù)進步的關(guān)鍵路徑。未來，隨著SiC成本的進一步下降和產(chǎn)能的持續(xù)釋放，搭載SiC器件的電驅(qū)動系統(tǒng)將從高端車型向主流市場滲透。羅姆與舍弗勒的這一里程碑式合作，無疑為行業(yè)樹立了典范，預示著更加高效、緊湊、智能的下一代電動汽車正加速駛來。