近日，英飛凌科技正式推出第二代CoolSiC? MOSFET 1200V系列新品，型號(hào)覆蓋IMZA120R012M2H至IMZA120R078M2H共八款器件。該系列產(chǎn)品采用TO247-4引腳（IMZA）封裝，在保持與現(xiàn)有系統(tǒng)安裝兼容的基礎(chǔ)上，全面升級(jí)性能表現(xiàn)，為光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電、UPS及工業(yè)驅(qū)動(dòng)等高功率應(yīng)用提供更高效、緊湊且可靠的解決方案。

CoolSiC? MOSFET 1200V系列新品產(chǎn)品型號(hào)

IMZA120R012M2H

IMZA120R017M2H

IMZA120R022M2H

IMZA120R026M2H

IMZA120R034M2H

IMZA120R040M2H

IMZA120R053M2H

IMZA120R078M2H

如需以上產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。深圳市中芯巨能電子有限公司代理銷(xiāo)售英飛凌旗下全系列IC電子元器件，為制造業(yè)廠家的工程師或采購(gòu)提供選型指導(dǎo)+數(shù)據(jù)手冊(cè)+樣片測(cè)試等服務(wù)。

性能躍升：更低損耗，更高效率

第二代CoolSiC? MOSFET在開(kāi)關(guān)性能和可靠性方面實(shí)現(xiàn)顯著突破。得益于優(yōu)化的.XT擴(kuò)散焊技術(shù)與器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其開(kāi)關(guān)損耗較前代降低達(dá)25%，總功率損耗減少約10%。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，在典型工況下，MOSFET工作結(jié)溫可降低11℃，有效提升系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性。

這一性能提升直接轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)：更高的能效表現(xiàn)不僅延長(zhǎng)設(shè)備壽命，還允許縮小散熱器尺寸甚至取消主動(dòng)風(fēng)冷，從而簡(jiǎn)化熱管理設(shè)計(jì)、降低整機(jī)成本。

核心特性：面向高頻高可靠設(shè)計(jì)

優(yōu)異的開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）：在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲芯憩F(xiàn)出更低延遲與損耗，適用于圖騰柱PFC、LLC諧振、三相逆變等多種主流AC-DC、DC-DC和DC-AC架構(gòu)。

2μs短路耐受能力：增強(qiáng)器件在異常工況下的魯棒性，提高系統(tǒng)安全性。

抗寄生導(dǎo)通與米勒效應(yīng)抑制：通過(guò)優(yōu)化閾值電壓（VGS(th)）分布和柵極設(shè)計(jì)，顯著降低誤觸發(fā)風(fēng)險(xiǎn)，提升并聯(lián)工作的穩(wěn)定性和一致性。

易于并聯(lián)擴(kuò)展：得益于低動(dòng)態(tài)電流不平衡和高抗干擾能力，多管并聯(lián)設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，適用于大功率模塊化系統(tǒng)。

封裝與兼容性：無(wú)縫替換，加速量產(chǎn)

IMZA封裝采用4引腳開(kāi)爾文源極結(jié)構(gòu)，分離功率源極與信號(hào)源極，有效減少共源電感影響，確保高速開(kāi)關(guān)下的驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性。同時(shí)，該封裝與標(biāo)準(zhǔn)TO247-4L插槽完全兼容，客戶(hù)可在不修改PCB布局的情況下實(shí)現(xiàn)平滑升級(jí)，大幅縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期。

應(yīng)用價(jià)值：推動(dòng)高功率系統(tǒng)小型化與高效化

憑借更低損耗和更高開(kāi)關(guān)頻率支持能力，第二代CoolSiC? MOSFET助力電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)：

更高功率密度：減小磁性元件和濾波電容體積；

冷卻系統(tǒng)優(yōu)化：降低散熱需求，支持無(wú)風(fēng)扇設(shè)計(jì)；

高可靠性設(shè)計(jì)：滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)嚴(yán)苛環(huán)境要求，提升MTBF（平均無(wú)故障時(shí)間）；

全拓?fù)溥m配：適用于所有常見(jiàn)功率變換組合，具備廣泛適用性。

市場(chǎng)定位：引領(lǐng)碳化硅技術(shù)普及

隨著新能源市場(chǎng)對(duì)效率、成本與可靠性的綜合要求不斷提升，英飛凌通過(guò)規(guī)模化制造與工藝優(yōu)化，正推動(dòng)碳化硅器件從“高性能”向“高性?xún)r(jià)比”演進(jìn)。此次發(fā)布的第二代CoolSiC? MOSFET已在多家頭部客戶(hù)的光伏逆變器與充電樁項(xiàng)目中完成驗(yàn)證，展現(xiàn)出卓越的量產(chǎn)成熟度。

未來(lái)，該平臺(tái)將持續(xù)拓展在能源基礎(chǔ)設(shè)施中的應(yīng)用邊界，為構(gòu)建更智能、更高效的電力電子生態(tài)系統(tǒng)提供關(guān)鍵支撐。