2025年9月24日至26日，亞洲電力電子行業(yè)年度盛會PCIM Asia將在上海新國際博覽中心舉行。安森美（onsemi）將重磅參展，聚焦AI數據中心、工業(yè)與汽車三大核心領域，全面展示其在高效能功率技術方面的前沿成果。繼此前發(fā)布AI與工業(yè)領域展品亮點后，安森美近日率先劇透其在汽車應用方向的多項關鍵技術方案。

11kW OBC方案：基于DAB架構的雙向SiC設計

面向電動汽車車載充電器（OBC）市場，安森美推出基于M3S EliteSiC?技術的高性能解決方案。該方案采用雙有源橋（DAB）拓撲結構，實現交流到直流的高效轉換，具備電氣隔離與能量雙向流動能力，支持V2G（Vehicle-to-Grid）應用，契合未來智能電網與能源互聯趨勢。

在11kW系統級別下，該方案可實現高達97.2%的峰值效率，顯著優(yōu)于行業(yè)平均水平。同時，得益于SiC器件的高頻特性，大幅減少了磁性元件和電容等無源器件的使用，整機功率密度達到2.3kW/L（含外殼），助力OBC向小型化、輕量化發(fā)展。

主驅逆變器模塊：低雜感+高集成，驅動性能躍升

在電動車主驅逆變器領域，安森美推出基于最新M3e EliteSiC?技術的功率模塊，專為高功率密度和高可靠性需求打造。該模塊具有低于4nH的極低雜散電感，配合僅1.4mΩ的內阻表現，可顯著降低開關與導通損耗，提升整車續(xù)航能力。

模塊設計兼顧制造便利性，支持螺絲連接與壓接兩種安裝方式，適配不同產線工藝需求。同時，安森美配套推出NCV51755隔離式柵極驅動器，支持15A峰值輸出電流，并提供可調驅動強度，優(yōu)化開關行為。該驅動器符合ISO 26262 ASIL-D功能安全等級，集成豐富診斷功能，為高安全要求的主驅系統提供完整信號鏈支持。

區(qū)域架構方案：SmartFET融合SmartGuard，重構配電系統

隨著汽車電子電氣架構向“區(qū)域化”演進，安森美推出集成SmartGuard特性的SmartFET產品，重新定義車載電源管理。該方案支持可配置的I2t保護算法，可替代傳統保險絲與繼電器，實現更精確的過流保護與快速故障響應。

此外，其容性負載安全充電模式可有效抑制上電沖擊，保護敏感電子設備；低靜態(tài)電流模式則確保在車輛休眠狀態(tài)下功耗極低，保障OTA遠程升級的穩(wěn)定執(zhí)行，滿足下一代智能電動車對能效與可靠性的雙重需求。

更多創(chuàng)新技術同步展出

除上述核心方案外，安森美還將展示包括PowerTrench? T10 MOSFET、汽車LED照明驅動、以及先進的功率器件封裝技術在內的多種解決方案，覆蓋從功率轉換到智能控制的廣泛應用場景。

作為碳化硅技術的領先推動者，安森美正通過M3系列SiC平臺，持續(xù)強化其在電動汽車動力總成、充電基礎設施及智能化配電領域的技術優(yōu)勢。此次PCIM Asia展會，不僅是一次技術集中呈現，更是其“以創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來”戰(zhàn)略的生動體現。

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