近日，納芯微電子正式推出基于Arm? Cortex?-M7內核的NS800RT113x系列高性能MCU，瞄準電機控制、電力電子與工業(yè)自動化等對算力和實時性要求嚴苛的應用場景，致力于解決傳統(tǒng)MCU在復雜控制任務中日益凸顯的性能瓶頸。

隨著智能電機、新能源發(fā)電、儲能系統(tǒng)等技術快速發(fā)展，行業(yè)對控制器的運算能力、響應速度與外設精度提出了更高要求。盡管Cortex-M4仍是當前主流MCU的核心選擇，但其在高階控制算法處理、多軸協(xié)同控制等方面已逐漸觸及性能天花板。納芯微此次推出的NS800RT1135/1137型號，搭載主頻高達200MHz的Cortex-M7內核，在DMIPS/Hz和CoreMark/Hz性能上相較M4分別提升83%和49%，并原生支持TCM（緊耦合內存），實現(xiàn)指令與數(shù)據(jù)的零等待訪問，顯著增強實時響應能力。

更值得關注的是，該系列集成了納芯微自研的mMATH數(shù)學加速核，可高效執(zhí)行三角函數(shù)、指數(shù)對數(shù)等超越函數(shù)及浮點運算，大幅減輕CPU負擔，使復雜控制算法如FOC、SVPWM等執(zhí)行效率提升數(shù)倍。配合最大256KB帶ECC保護的Flash與80KB TCM，系統(tǒng)在高負載下仍能保持穩(wěn)定可靠運行。

在外設層面，NS800RT113x系列展現(xiàn)出極強的控制適應性。其集成14路PWM輸出，由專用事件管理器調度，支持最多8個比較點配置，其中兩路高精度PWM分辨率可達80ps，滿足高頻、高精度電源與電機驅動需求。片內ADC采樣率高達4.375Msps，支持雙組21通道同步采集，適用于多相電流電壓實時監(jiān)測。此外，創(chuàng)新集成的兩個CLB（Configurable Logic Block）可編程邏輯模塊，允許用戶實現(xiàn)自定義時序控制、硬件級保護邏輯，有效降低對外部FPGA或CPLD的依賴，簡化系統(tǒng)設計并提升可靠性。

接口方面，芯片提供3路UART、2路SPI、2路I2C及1路CAN 2.0，便于構建多節(jié)點工業(yè)通信網(wǎng)絡。封裝涵蓋LQFP64、LQFP48、QFN48與QFN32，兼顧性能與空間限制，適用于緊湊型終端設備。

NS800RT113x系列選型表

NS800RT1137-DQFEY2

NS800RT1137-DQFFY2

NS800RT1137-DQNFY2

NS800RT1137-DQNGY2

NS800RT1135-DQFEY2

NS800RT1135-DQFFY2

NS800RT1135-DQNFY2

NS800RT1135-DQNGY2

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納芯微表示，NS800RT113x系列以“高性能+高性價比”為核心定位，旨在降低M7內核MCU的應用門檻。在當前“算力單價”成為關鍵指標的背景下，該產(chǎn)品讓開發(fā)者能以接近M4的成本獲得M7級別的處理能力，推動高端控制技術向更廣泛市場滲透。

此次發(fā)布不僅標志著國產(chǎn)MCU在高性能實時控制領域的進一步突破，也為工業(yè)、能源、消費電子等行業(yè)提供了更具競爭力的國產(chǎn)化解決方案。隨著生態(tài)配套逐步完善，NS800RT113x有望成為下一代智能控制器的核心引擎。