隨著光伏與儲能系統(tǒng)母線電壓從1500V邁向2000V，行業(yè)正迎來新一輪功率密度與經(jīng)濟(jì)性提升的機(jī)遇。然而，電壓等級的躍升也對系統(tǒng)絕緣安全、器件耐壓能力及信號隔離可靠性提出了更高要求。作為高低壓域之間的關(guān)鍵屏障，隔離類芯片在保障人身安全與設(shè)備穩(wěn)定運行中扮演著不可替代的角色。

母線電壓升高主要源于光伏組件輸出能力增強(qiáng)及“高電壓、低電流”帶來的系統(tǒng)成本優(yōu)勢（P = U × I）。但隨之而來的是對隔離器件工作電壓、爬電距離（CPG）和電氣間隙（CLR）的嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。以2000Vdc系統(tǒng)為例，常規(guī)隔離芯片已難以滿足基本絕緣要求。納芯微現(xiàn)有隔離產(chǎn)品已支持最高2121Vdc工作電壓，并通過寬體/超寬體封裝設(shè)計（如NSI82xx數(shù)字隔離器、NSI6801EC隔離驅(qū)動）顯著提升CPG與CLR，確保符合IEC/UL等國際安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。同時，基于Adaptive OOK?調(diào)制技術(shù)，其隔離器件在高dv/dt噪聲環(huán)境下仍保持優(yōu)異信號完整性。

在500+kW級組串式逆變器與儲能變流器中，系統(tǒng)拓?fù)湔铀傧騍iC兩電平或三電平演進(jìn)。SiC器件的高開關(guān)頻率與高耐壓特性要求驅(qū)動電路具備更快響應(yīng)速度、更強(qiáng)抗擾能力及更高拉灌電流能力。納芯微推出的NSI660x系列隔離柵極驅(qū)動器專為SiC優(yōu)化，支持高達(dá)200kV/μs的共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI），有效抑制高壓開關(guān)噪聲。而NSI6801系列則采用電流型輸入結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提升驅(qū)動魯棒性，適用于復(fù)雜電磁環(huán)境下的高可靠性場景。

高壓側(cè)電流采樣同樣面臨精度與抗干擾的雙重挑戰(zhàn)。當(dāng)前主流方案分為霍爾傳感器與分流器+隔離運放兩類。納芯微NSM201x-P系列霍爾電流傳感器通過優(yōu)化靈敏度與零點溫漂，在±65A范圍內(nèi)實現(xiàn)全溫區(qū)高線性輸出，并顯著提升EMC性能，適用于DC側(cè)MPPT電流檢測。對于更高精度需求，NSI13xx系列隔離采樣芯片提供多樣化選擇：NSI1300/1200增強(qiáng)型隔離運放與NSI1306 Sigma-delta調(diào)制器適用于相電流采樣；NSI1311則憑借2V線性輸入范圍與高輸入阻抗，精準(zhǔn)支撐2000V母線電壓監(jiān)測。

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