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意法半導體STDES-VIPGAN65F:65W QR USB PD參考設計

來源:意法| 發(fā)布日期:2025-09-19 16:00:01 瀏覽量:

意法半導體STDES-VIPGAN65F 是意法半導體推出的65W準諧振(Quasi-Resonant, QR)USB Power Delivery 3.0適配器參考設計,基于其VIPerGaN?平臺構建,適用于消費電子、工業(yè)電源及車規(guī)級電源模塊的能效驗證與電壓調節(jié)測試。該設計采用隔離式反激拓撲,集成高性能GaN控制器與同步整流方案,為工程師提供高效率、高可靠性且BOM精簡的電源開發(fā)平臺。

意法半導體STDES-VIPGAN65F:65W QR USB PD參考設計

初級側:VIPERGAN65 HV GaN控制器

初級側采用VIPERGAN65高壓轉換器,實現準諧振反激拓撲。該器件將650V耐壓的GaN HEMT功率開關、高壓啟動單元與低壓PWM控制器集成于同一封裝(eSIP?-15D),顯著簡化初級側電路設計。

關鍵特性包括:

準諧振工作模式:通過谷底開關(Valley Switching)降低開關損耗,提升輕載效率。

高壓啟動單元:無需外部啟動電阻,支持快速啟動與超低待機功耗(<30 mW,符合DoE Level VI標準)。

集成保護功能:具備過流、過壓、過溫及前沿消隱(LEB)保護,提升系統(tǒng)魯棒性。

自適應跳周期模式:在輕載下自動進入突發(fā)模式,維持高效率同時抑制音頻噪聲。

通過光耦反饋回路實現±1%的輸出電壓調節(jié)精度,確保動態(tài)負載下的穩(wěn)定輸出。

次級側:SRK1004同步整流與STUSB4761 PD控制

為提升整體能效,次級側采用SRK1004自適應同步整流控制器,驅動低RDS(on) MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管,顯著降低整流損耗。SRK1004支持寬范圍導通/關斷閾值調節(jié),兼容多種MOSFET,并具備快速關斷機制,防止反向電流,提升輕載效率。

恒壓/恒流(CV/CC)調節(jié)由SRK1004與初級控制器協(xié)同完成,實現精確的多模式控制,滿足電池充電應用需求。

USB Type-C? PD接口由STUSB4761專用控制器管理。該器件集成全硬件USB PD 3.0協(xié)議棧,支持:

PPS(Programmable Power Supply):輸出電壓可調范圍3.3V–21V,步進100mV

多重PDO配置:支持5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/3.25A等標準檔位

硬件級安全協(xié)商:基于狀態(tài)機實現確定性通信,避免協(xié)議棧軟件錯誤

CC邏輯檢測與角色切換:支持DRP(Dual Role Power)功能

STUSB4761通過I2C接口與主控通信,便于系統(tǒng)監(jiān)控與故障診斷。

系統(tǒng)性能與保護機制

STDES-VIPGAN65F評估板支持寬輸入電壓范圍(90–264 VAC),輸出為5–21V/3.25A,最大功率65W,峰值效率可達94%以上(典型負載下)。其緊湊的PCB布局(100mm × 50mm)適合小型化適配器設計。

全面的保護功能確保系統(tǒng)安全:

輸出過壓保護(OVP)

輸出欠壓保護(UVP)

輸出過流保護(OCP)

輸出短路保護(SCP)

過溫保護(OTP)

所有保護機制均具備自動恢復或鎖閉模式可選,適應不同應用場景。

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