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三星電子領(lǐng)先PLP領(lǐng)域，臺(tái)積電加快研究進(jìn)程
發(fā)布時(shí)間：2024-06-29
近期，三星電子在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，尤其在面板級(jí)封裝（PLP）領(lǐng)域超越了臺(tái)積電。2019年，三星電子以7850億韓元（約合5.81億美元）從三星電機(jī)手中收購了PLP業(yè)務(wù)，為其目前的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。今年3月的股東大會(huì)上，三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)（DS）部門前負(fù)...
英集芯IP6805U：無線充電發(fā)射端控制SoC芯片
發(fā)布時(shí)間：2024-06-29
IP6805U簡介IP6805U是英集芯一款無線充電發(fā)射端控制SoC芯片，兼容 WPC Qi v1.2.4 最新標(biāo)準(zhǔn)，支持A11或A11a 線圈，支持 5W 充電。IP6805U通過analogping 檢測到無線接收器，并建立與接收端之間的通信，則開始功率傳輸。IP6805U解碼從接收器發(fā)送的通...
瑞薩電子發(fā)布第5代R-Car產(chǎn)品家族,引領(lǐng)汽車電子革新
發(fā)布時(shí)間：2024-06-29
作為全球微控制器（MCU）領(lǐng)域的重要供應(yīng)商，瑞薩電子在汽車平臺(tái)設(shè)計(jì)中發(fā)揮著舉足輕重的作用。最近，瑞薩電子發(fā)布了全新一代車載數(shù)字產(chǎn)品家族，其中包括新型MCU和片上系統(tǒng)（SoC）解決方案的路線圖，進(jìn)一步拓展了其業(yè)務(wù)范圍。未來幾年，我們將陸續(xù)推出基于第5...
ADI MEMS傳感器發(fā)展史
發(fā)布時(shí)間：2024-06-29
自從MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）技術(shù)被引入傳感器領(lǐng)域以來，ADI（Analog Devices Inc. 美國模擬設(shè)備公司）在該領(lǐng)域的發(fā)展歷程可謂是一部輝煌的史詩。ADI MEMS傳感器的發(fā)展始于20世紀(jì)90年代，至今已經(jīng)成為全球領(lǐng)先的MEMS傳感器制造商之...
意法半導(dǎo)體推出新型VNF9Q20F車規(guī)級(jí)高邊功率開關(guān)管
發(fā)布時(shí)間：2024-06-29
意法半導(dǎo)體（ST）近日宣布其最新系列車規(guī)級(jí)高邊功率開關(guān)管正式投入量產(chǎn)，這一創(chuàng)新系列不僅集成了公司獨(dú)有的智能熔斷保護(hù)技術(shù)STi2Fuse，還支持SPI數(shù)字接口，為汽車電子設(shè)計(jì)帶來了前所未有的靈活性與功能安全性提升。革新之作：VNF9Q20F功率開關(guān)引領(lǐng)智...
MOS管輸入電阻高，為何一遇靜電就“不行”？
發(fā)布時(shí)間：2024-06-28
MOS管是一種常用的場效應(yīng)管，其輸入電阻通常很高，這使得它在許多電路中具有重要的作用。然而，有時(shí)候我們會(huì)發(fā)現(xiàn)，即使MOS管的輸入電阻很高，一旦遇到靜電，它就似乎變得“不行”了。那么，究竟是什么原因?qū)е翸OS管在靜電作用下表現(xiàn)出異常的現(xiàn)象呢？首先，...
哪個(gè)特點(diǎn)限制了絕緣柵雙極晶體管電流容量？
發(fā)布時(shí)間：2024-06-28
在電子器件中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種常用的功率半導(dǎo)體器件，其具有高功率密度和高效率的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子、馬達(dá)控制等領(lǐng)域。然而，雖然IGBT有很多優(yōu)點(diǎn)，但也存在一些特點(diǎn)會(huì)限制其電流容量。1. IGBT...
MOS管構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)電流和工作狀態(tài)如何分析？
發(fā)布時(shí)間：2024-06-28
在電子電路設(shè)計(jì)中，電流鏡（Current Mirror）結(jié)構(gòu)是一種常用的電路形式，用于實(shí)現(xiàn)電流的復(fù)制和穩(wěn)定。特別是在MOS管電路中，電流鏡結(jié)構(gòu)起著至關(guān)重要的作用。MOS管供應(yīng)商-中芯巨能將著重介紹MOS管構(gòu)成的電流鏡結(jié)構(gòu)電流和工作狀態(tài)的分析方法。1. MOS管...
MOS管的最大持續(xù)電流是如何確定?
發(fā)布時(shí)間：2024-06-28
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的場效應(yīng)管，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，確定MOS管的最大持續(xù)電流是非常重要的，這將直接影響電路的可靠性和性能。下面將詳細(xì)介紹MOS管的最大持續(xù)電流是...
2024年芯片市場動(dòng)向及大廠最新行情
發(fā)布時(shí)間：2024-06-28
根據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示，2024年1-4月份存儲(chǔ)芯片銷售額同比增長約85.4%，DRAM和NAND的市場價(jià)格持續(xù)上漲，較去年同期漲價(jià)約50%。存儲(chǔ)芯片市場的反彈勢頭迅猛，全球半導(dǎo)體行業(yè)增速也被上調(diào)至16.0%，預(yù)計(jì)年銷售額將達(dá)6112億美元，創(chuàng)歷史新高。有關(guān)芯片市場是否...
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