近日，羅姆(ROHM)參加了在上海新國際博覽中心舉辦的2023上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)，展示了其在碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。羅姆憑借其先進(jìn)的碳化硅功率元器件技術(shù)和控制IC、模塊技術(shù)，為工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的節(jié)能化與小型化做出了貢獻(xiàn)。

碳化硅器件具有低開關(guān)損耗和低導(dǎo)通電阻的特性，相較于傳統(tǒng)的硅器件，在節(jié)能方面具備更大的優(yōu)勢。羅姆在碳化硅功率元器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，其先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，從而減少了開關(guān)損耗。此外，羅姆的SiC MOSFET還支持15V和18V的柵極-源極電壓，為包括汽車逆變器和各種開關(guān)電源在內(nèi)的應(yīng)用實現(xiàn)了顯著的小型化和低功耗。在本次展會上，羅姆展示了面向車載應(yīng)用的第3代和第4代SiC MOSFET系列產(chǎn)品。

氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品也是羅姆的重點展示內(nèi)容之一。氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為一種高效能、小型化的器件，被廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率的領(lǐng)域。羅姆在2022年推出了柵極耐壓高達(dá)8V的150V耐壓GaN HEMT，并在2023年3月推出了能夠更大程度發(fā)揮GaN性能的控制IC技術(shù)。此外，羅姆還推出了性能達(dá)到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT，以助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化。結(jié)合功率電子和模擬兩大核心技術(shù)優(yōu)勢，羅姆還推出了集成了GaN HEMT和柵極驅(qū)動器的EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，該產(chǎn)品簡化了GaN器件的安裝，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積。在本次PCIM Asia展會上，羅姆展示了一系列氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品，包括用于電池管理系統(tǒng)的高壓GaN HEMT、用于電動汽車和混合動力汽車的高壓GaN HEMT和驅(qū)動器等。

此外，羅姆還展示了一系列針對xEV牽引逆變器應(yīng)用的柵極驅(qū)動器產(chǎn)品。其中，BM6112FV-C專為高功率IGBT和SiC應(yīng)用而設(shè)計，具備20A的柵極驅(qū)動電流，可滿足高功率應(yīng)用的需求。

在AC-DC轉(zhuǎn)換器IC產(chǎn)品系列方面，羅姆提供了多種不同耐壓等級的產(chǎn)品，包括650V、800V和1700V。這些產(chǎn)品可用于各種外接交流電源產(chǎn)品，并采用準(zhǔn)諧振操作實現(xiàn)軟開關(guān)，有助于保持較低的電磁干擾(EMI)。BM2SC12xFP2-LBZ是其中一款產(chǎn)品，內(nèi)置了1700V的SiC MOSFET（場效應(yīng)管），方便設(shè)計，有效降低輕負(fù)載時的電力消耗，并具備各種保護(hù)功能。

羅姆通過其豐富的碳化硅和氮化鎵技術(shù)解決方案，為工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的節(jié)能化和小型化提供了強(qiáng)大的支持。這些先進(jìn)的功率元器件和控制IC產(chǎn)品將有助于提高能源效率，減少能源消耗，并推動可持續(xù)發(fā)展。