2025年6月13日，充電頭網(wǎng)將在深圳舉辦“2025世界碳化硅大會”，全面探討碳化硅（SiC）器件在新能源、快充、工業(yè)電源等領(lǐng)域的最新發(fā)展趨勢與應(yīng)用前景。屆時，AOS（美國萬國半導(dǎo)體）SiC研發(fā)團隊將受邀出席，并由其應(yīng)用工程經(jīng)理朱禮斯先生帶來題為《AOS第三代aSiC MOSFET使用0V關(guān)斷電壓的可行性研究》的主題演講，分享公司在第三代半導(dǎo)體技術(shù)上的最新研究成果。

第三代aSiC MOSFET：驅(qū)動策略再創(chuàng)新

作為功率器件的重要演進方向，碳化硅MOSFET憑借其高耐壓、低損耗和高頻特性，在電動汽車、光伏逆變器、服務(wù)器電源等領(lǐng)域正加速替代傳統(tǒng)硅基器件。然而，在實際應(yīng)用中，SiC MOSFET對驅(qū)動電路的要求更高，尤其是在關(guān)斷過程中，負(fù)壓關(guān)斷仍是主流方案，以防止誤開通帶來的風(fēng)險。

此次大會上，朱禮斯將從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、器件參數(shù)、驅(qū)動波形等多個維度出發(fā)，系統(tǒng)分析采用0V關(guān)斷電壓的可行性及其潛在優(yōu)勢。這一研究或?qū)楣こ處熖峁└啙崱⒏叱杀拘б娴尿?qū)動設(shè)計思路，進一步推動SiC器件在各類高密度電源系統(tǒng)中的普及。

技術(shù)突破：AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET

此前，AOS已正式發(fā)布其第三代1200V aSiC MOSFET產(chǎn)品線，標(biāo)志著其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了關(guān)鍵一步。該系列產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗及短路耐受能力等方面均有顯著提升，支持更高頻率、更高效率的電力電子系統(tǒng)設(shè)計。

據(jù)AOS介紹，新一代aSiC MOSFET不僅優(yōu)化了芯片結(jié)構(gòu)，還通過封裝工藝改進提升了熱管理和可靠性，適用于車載OBC（車載充電器）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器以及高功率密度適配器等多種應(yīng)用場景。

推動產(chǎn)業(yè)協(xié)同，共建碳化硅生態(tài)體系

本次“世界碳化硅大會”旨在搭建一個高質(zhì)量的技術(shù)交流平臺，匯聚來自學(xué)術(shù)界、產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)代表，共同探討第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展路徑與市場機遇。作為大會重要環(huán)節(jié)之一，AOS的技術(shù)分享不僅展現(xiàn)了企業(yè)在SiC領(lǐng)域的持續(xù)投入，也為行業(yè)提供了關(guān)于驅(qū)動策略、系統(tǒng)集成和性能優(yōu)化的新視角。

隨著碳化硅器件成本逐步下降、良率提升和供應(yīng)鏈日益成熟，其在新能源汽車、綠色能源和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的滲透率將持續(xù)上升。AOS表示，未來將繼續(xù)擴大其SiC產(chǎn)品布局，圍繞高壓、高效、高可靠性的需求，推動碳化硅技術(shù)從實驗室走向規(guī)模化落地。

注：我司是AOS代理商，如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。