近日，英飛凌科技推出全新EconoDUAL? 3半橋功率模塊系列，基于其增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET M1H芯片技術(shù)，為高功率密度與高效率需求的應(yīng)用場(chǎng)景提供創(chuàng)新解決方案。該系列產(chǎn)品包括多個(gè)版本，涵蓋PressFIT引腳、預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料（TIM）和Wave波浪結(jié)構(gòu)基板設(shè)計(jì)，滿足從工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)到電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)的多樣化需求。

模塊型號(hào)與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

此次發(fā)布的模塊共有三個(gè)型號(hào)：

FF1MR12MM1H_B11：采用PressFIT引腳技術(shù)，便于無(wú)焊接安裝；

FF1MR12MM1HP_B11：在前者基礎(chǔ)上預(yù)涂TIM材料，提升熱傳導(dǎo)效率；

FF1MR12MM1HW_B11：集成Wave波浪結(jié)構(gòu)基板，支持直接液冷方案，適用于高熱負(fù)荷應(yīng)用。

模塊內(nèi)置NTC溫度傳感器，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的溫控管理；同時(shí)具備隔離基板設(shè)計(jì)，提高系統(tǒng)安全性與可靠性。

技術(shù)特性與性能優(yōu)勢(shì)

該系列模塊采用了英飛凌最新的M1H代SiC MOSFET芯片，具有以下顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

低開關(guān)損耗：支持更高開關(guān)頻率（>7kHz），有助于減小磁性元件體積，提升系統(tǒng)功率密度；

卓越的柵極氧化層可靠性：確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行；

更高的柵極閾值電壓：增強(qiáng)了抗干擾能力與誤觸發(fā)防護(hù)；

優(yōu)化的體二極管性能：在反向恢復(fù)過(guò)程中表現(xiàn)優(yōu)異，降低損耗；

宇宙射線穩(wěn)健性：適用于戶外或高空環(huán)境下的高可靠性場(chǎng)景；

最大工作結(jié)溫達(dá)175°C：具備良好的過(guò)載耐受能力。

此外，模塊采用螺母式功率端子，增強(qiáng)連接穩(wěn)固性，并通過(guò)PressFIT引腳簡(jiǎn)化PCB裝配流程，降低制造成本。

應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，助力綠色轉(zhuǎn)型

得益于其高頻、高效與高可靠性的綜合優(yōu)勢(shì)，該模塊可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

儲(chǔ)能系統(tǒng)：滿足快速充放電對(duì)功率器件的要求；

通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器：適用于變頻、變壓控制場(chǎng)合；

不間斷電源（UPS）：提升能源轉(zhuǎn)換效率，延長(zhǎng)備用時(shí)間；

暖通空調(diào)（HVAC）與電機(jī)控制：優(yōu)化壓縮機(jī)等關(guān)鍵部件的能效；

電動(dòng)汽車充電設(shè)備：支持更高功率密度的充電樁設(shè)計(jì)；

商用車輛、工程車輛及農(nóng)用車輛：適應(yīng)復(fù)雜工況下的電驅(qū)系統(tǒng)需求。

結(jié)語(yǔ)

英飛凌此次推出的CoolSiC MOSFET模塊不僅延續(xù)了其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，更通過(guò)模塊化設(shè)計(jì)與先進(jìn)散熱方案的融合，為工程師提供了靈活且高效的功率解決方案。隨著全球?qū)?jié)能與可持續(xù)發(fā)展的要求日益提升，這一系列模塊有望在新能源、智能制造和智能交通等領(lǐng)域發(fā)揮更大作用。

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