近日，Vishay 推出了全新的 Gen 4.5 650V E 系列功率 MOSFET，為通信、工業(yè)和計算應用帶來了更高的效率和功率密度。與上一代產(chǎn)品相比，該系列中的 N 溝道 SiHK050N65E 型號在導通電阻方面實現(xiàn)了顯著降低，降幅達到 48.2%，同時其電阻和柵極電荷乘積（FOM）——這一在功率轉換應用中至關重要的優(yōu)值因數(shù)——也降低了 65.4%。

Vishay 的多種 MOSFET 技術能夠支持電源轉換過程的所有階段，從高壓輸入到高科技設備所需的低壓輸出。SiHK050N65E 以及 Gen 4.5 650V E 系列中的其他器件，能夠滿足電力系統(tǒng)架構中功率因數(shù)校正（PFC）和 DC/DC 轉換器模塊這兩個早期階段對效率和功率密度的改進需求。這些器件的典型應用包括服務器、邊緣計算和超級計算機、UPS、高強度放電（HID）燈和熒光燈鎮(zhèn)流器、通信開關模式電源（SMPS）、太陽能逆變器、焊接設備、感應加熱系統(tǒng)、電動驅動和電池充電器等。

SiHK050N65E 基于 Vishay 最新的高能效 E 系列超結技術，能夠在 10V 下實現(xiàn)低至 0.048Ω 的典型導通電阻，適用于超過 6kW 的高功率應用。此外，該 650V 器件的擊穿電壓額外增加了 50V，使其能夠在 200VAC 至 277VAC 的輸入電壓范圍內穩(wěn)定工作，并符合開放計算項目的開放機架 V3（ORV3）標準。其超低的柵極電荷僅為 78nC，提供了優(yōu)越的 FOM 值 3.74mΩ·nC，這對于減少導通和開關損耗至關重要，從而進一步節(jié)省能源并提升效率，使器件能夠滿足服務器電源中特定的鈦效率要求，或者達到 96% 的峰值效率。

為了在硬開關拓撲（如 PFC 電路和雙開關前饋設計）中優(yōu)化開關性能，新發(fā)布的 MOSFET 具備較低的有效輸出電容值，Co(er) 為 167pF，Co(tr) 為 1119pF。器件在電阻乘以 Co(er) 的 FOM 上達到了業(yè)界新低的 8.0mΩ·pF。SiHK050N65E 采用 PowerPAK?10×12 封裝形式，并配備 Kelvin 連接以降低柵極噪聲，同時提高 dv/dt 的抗擾性。此外，該 MOSFET 符合 RoHS 標準且無鹵素，經(jīng)過特別設計以承受雪崩模式下的過壓瞬態(tài)，100% 的 UIS 測試保證了其極限值。

Vishay 的 Gen 4.5 650V E 系列功率 MOSFET 的推出，為通信、工業(yè)和計算應用提供了更高效、更高功率密度的解決方案。SiHK050N65E 型號憑借其顯著降低的導通電阻和 FOM，以及優(yōu)化的開關性能，能夠滿足多種應用對效率和功率密度的嚴格要求，為電源轉換過程的各個階段提供了可靠的支持。

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