Nexperia（安世半導體），作為基礎半導體器件領域的高產能生產專家，近日宣布推出一系列采用創(chuàng)新銅夾片(Copper Clip) CCPAK1212封裝的16款新80V和100V功率MOSFET。這些器件憑借其領先的功率密度和優(yōu)越性能，旨在滿足電機控制、電源轉換、可再生能源系統(tǒng)及其他耗電應用的需求。

CCPAK1212封裝設計中的“CC”代表銅夾片，該結構將功率MOSFET晶圓夾在兩片銅片之間，一側為漏極散熱片，另一側為源極夾片。這種無引線鍵合的設計優(yōu)化了導通電阻和寄生電感，提升了最大額定電流并改善了熱性能，使得這些器件能夠承載更高的電流，并在緊湊的空間內實現優(yōu)異的熱管理。

其中一款標桿產品PSMN1R0-100ASF是100V功率MOSFET，具有0.99 mΩ的超低導通電阻，能夠承載高達460 A的電流，達到1.55 kW的耗散功率，而僅占用12mm×12mm的電路板空間。此系列還包含了專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)，以確保在線性模式轉換期間提供出色的熱穩(wěn)定性。

所有新型MOSFET均提供了頂部和底部兩種散熱選項，賦予工程師更大的靈活性，特別是在處理熱敏感設計時。此外，Nexperia已將CCPAK1212封裝注冊至JEDEC標準組織，參考編號MO-359，確保了市場的兼容性和客戶的信心。

Nexperia的產品部總經理Chris Boyce表示：“盡管我們擁有市場領先的性能，但我們意識到一些客戶可能對較新的封裝技術有所顧慮。通過向JEDEC注冊CCPAK1212，我們希望消除這些擔憂，正如我們在LFPAK MOSFET封裝上所做的那樣，這最終促進了市場的積極響應。”

為了進一步簡化設計流程，Nexperia不僅提供了熱補償仿真模型等先進設計工具，還將傳統(tǒng)PDF數據手冊升級為交互式版本，新增了“圖形轉csv”的功能，使工程師可以更方便地下載和分析關鍵特性數據，增強了設計選擇的信心。

展望未來，Nexperia計劃將CCPAK1212封裝擴展到所有電壓范圍的功率MOSFET產品線，包括符合車規(guī)級AEC-Q101標準的器件，以實現超高電流和出色熱性能，滿足下一代系統(tǒng)的不斷變化需求。

這一系列新產品的推出，體現了Nexperia致力于推動行業(yè)進步，為客戶提供更高效率、更可靠解決方案的承諾。

附采用CCPAK1212封裝型號具如下：

PSMN1R1-80ASF

PSMNR90-80ASE

PSMNR90-80ASF

PSMN1R2-80ASE

PSMN1R0-100ASE

PSMN1R0-100ASF

PSMN1R3-100ASF

PSMN1R4-100ASE

PSMN1R0-100CSF

PSMNR90-80CSF

PSMN1R4-100CSF

PSMN1R4-100CSE

PSMN1R1-100CSE

PSMN1R2-80CSE

PSMN1R0-80CSE

PSMN1R1-80CSF

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