AOS推出適用于USB PD 3.1 EPR應(yīng)用的AONZ66412雙通道MOSFET功率模塊

來源：AOS代理-中芯巨能| 發(fā)布日期：2024-03-27 11:13:47 瀏覽量：

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，納斯達克代碼：AOSL）是一家集設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售功率半導(dǎo)體、芯片及數(shù)字電源產(chǎn)品的知名供應(yīng)商。最近，他們推出了新型XSPairFET? MOSFET，型號為AONZ66412，專為USB PD 3.1擴展功率范圍（EPR）應(yīng)用中的升降壓轉(zhuǎn)換器而設(shè)計。USB PD 3.1 EPR提升了USB-C端口的功率傳輸能力至240W。AONZ66412是一款40V對稱雙通道N溝道MOSFET半橋功率模塊，封裝在5mmx6mm的XSPairFET?單體封裝中，支持常見的功率范圍，在28V工作電壓下傳輸能力高達140W。

AONZ66412可以替代兩個DFN5x6封裝MOSFET，在提高效率的同時，減少元器件數(shù)量并簡化4顆開關(guān)升降壓架構(gòu)的設(shè)計布局，是Type-C USB 3.1 EPR應(yīng)用中（包括筆記本電腦、USB集線器和移動電源設(shè)備）升降壓轉(zhuǎn)換器的理想選擇。

該產(chǎn)品采用最新的倒裝（bottom source）封裝技術(shù)，是AOS XSPairFET?系列的擴展。由于降低了驅(qū)動及功率回路的寄生電感，AONZ66412具有較低的開關(guān)節(jié)點振鈴現(xiàn)象。采用DFN5x6 XSPairFET?封裝，AONZ66412集成了高側(cè)和低側(cè)功率MOSFET（最大導(dǎo)通電阻為3.8mOhms），低側(cè)MOSFET源極直接連接到PCB上的裸露焊盤，以增強散熱性能。改進的封裝寄生參數(shù)使得在1MHz開關(guān)頻率下運行成為可能，有助于減小電感器尺寸。經(jīng)過測試，在28V輸入電壓、17.6V輸出和典型USB PD 3.1 EPR 1MHz開關(guān)頻率，8A負載條件下，AONZ66412可實現(xiàn)高達97%的效率。如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

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