日本半導(dǎo)體制造商ROHM推出了一款集成了650V GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB），面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源。

隨著對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件受到了廣泛關(guān)注。然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理很難，必須與驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O用的驅(qū)動(dòng)器結(jié)合使用。ROHM結(jié)合所擅長(zhǎng)的功率和模擬兩種核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，開(kāi)發(fā)出了這款集功率半導(dǎo)體——GaN HEMT和模擬半導(dǎo)體——柵極驅(qū)動(dòng)器于一體的Power Stage IC。該產(chǎn)品的問(wèn)世使得被稱(chēng)為“下一代功率半導(dǎo)體”的GaN器件輕松實(shí)現(xiàn)安裝。

新產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動(dòng)電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側(cè)電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現(xiàn)有的Si MOSFET。與Si MOSFET相比，該產(chǎn)品的器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低損耗和更小體積。

新產(chǎn)品已于2023年6月開(kāi)始量產(chǎn)。

＜ROHM新品型號(hào)＞

新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動(dòng)電壓范圍（2.5V～30V），而且傳輸延遲短、啟動(dòng)時(shí)間快，因此支持一次側(cè)電源中的各種控制器IC。

BM3G015MUV-LBVe  VeBM3G007MUV-LB 

＜ROHM新品應(yīng)用領(lǐng)域＞

適用于內(nèi)置一次側(cè)電源（AC-DC或PFC電路）的各種應(yīng)用。

消費(fèi)電子：白色家電、AC適配器、電腦、電視、冰箱、空調(diào)

工業(yè)設(shè)備：服務(wù)器、OA設(shè)備。

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