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【一文讀懂】STM32H742系列微控制器技術(shù)參數(shù)詳解

來(lái)源:中芯巨能:提供選型指導(dǎo)+現(xiàn)貨供應(yīng)+技術(shù)支持| 發(fā)布日期:2024-10-10 16:00:01 瀏覽量:

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的STM32H742系列微控制器,憑借其強(qiáng)大的處理能力與高效的能源管理,在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域內(nèi)樹(shù)立了新的標(biāo)桿。該系列集成了工作頻率高達(dá)480 MHz的Arm? Cortex?-M7內(nèi)核,并配備了雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算單元,為開(kāi)發(fā)者提供了卓越的計(jì)算性能。

出色的計(jì)算性能

在480 MHz的CPU頻率下,STM32H742系列能夠從Flash存儲(chǔ)器執(zhí)行程序時(shí)提供2424 CoreMark/1027 DMIPS的優(yōu)異性能。這一高性能得益于L1緩存的存在,它由16 KB的指令緩存(I-Cache)和16 KB的數(shù)據(jù)緩存(D-Cache)組成,確保了從外部存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)時(shí)的零等待狀態(tài),從而極大地提高了代碼執(zhí)行效率。

【一文讀懂】STM32H742系列微控制器技術(shù)參數(shù)詳解

優(yōu)化的能耗管理

為了滿(mǎn)足現(xiàn)代設(shè)備對(duì)能效的需求,STM32H742采用了多電源域架構(gòu)設(shè)計(jì),允許用戶(hù)將不同部分配置為低功耗模式,以達(dá)到最佳的能量使用效率。USB調(diào)節(jié)器內(nèi)置了物理接口層(PHY),進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。在典型運(yùn)行條件下(VDD = 3.3 V, 溫度25°C),當(dāng)核心處于活動(dòng)狀態(tài)而外圍設(shè)備關(guān)閉時(shí),每MHz僅消耗約275 μA。而在低功耗待機(jī)模式下,電流消耗降至2.43 μA;若啟用RTC并保持VBAT模式,則可減少至大約750 nA。

強(qiáng)大的圖形加速

對(duì)于需要高質(zhì)量圖形顯示的應(yīng)用場(chǎng)景,STM32H742內(nèi)置了Chrom-ART Accelerator?技術(shù),這大大提升了圖形內(nèi)容創(chuàng)建的速度,同時(shí)釋放了MCU主處理器資源用于其他任務(wù)。這項(xiàng)技術(shù)特別適合于那些要求快速圖像渲染的應(yīng)用,如工業(yè)顯示器或高端消費(fèi)電子產(chǎn)品。

豐富的外設(shè)接口

這些微控制器配備了多達(dá)35個(gè)通信接口,涵蓋了FD-CAN、USB 2.0高速/全速、以太網(wǎng)MAC以及攝像頭接口等廣泛連接選項(xiàng)。靈活的存儲(chǔ)控制器支持32位并行或Quad-SPI串行閃存擴(kuò)展,便于增加系統(tǒng)內(nèi)存容量。模擬部分則包含了12位DAC和快速16位ADC,配合一系列高精度定時(shí)器,使得STM32H742非常適合要求精確控制的任務(wù)。

存儲(chǔ)配置與封裝選擇

STM32H742系列提供了從1 MB到2 MB的Flash存儲(chǔ)空間,以及總共692 KB的SRAM。其中TCM RAM區(qū)域?qū)iT(mén)設(shè)計(jì)用于時(shí)間關(guān)鍵型程序和數(shù)據(jù)處理,總共有192 KB,分為64 KB ITCM RAM和128 KB DTCM RAM。此外,還有432 KB的用戶(hù)SRAM,以及4 KB備份域SRAM,用于保存最低功耗模式下的數(shù)據(jù)。該系列產(chǎn)品有多種封裝形式可供選擇,包括100至240引腳的BGA和LQFP類(lèi)型,以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。

綜上所述,STM32H742系列不僅擁有出色的處理性能,而且通過(guò)集成先進(jìn)的能耗管理和圖形加速功能,成為了眾多高端嵌入式系統(tǒng)的理想解決方案。無(wú)論是在工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備還是消費(fèi)電子領(lǐng)域,這款多功能微控制器都展現(xiàn)出了其獨(dú)特的價(jià)值。如需STM32H742系列產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求,請(qǐng)加客服微信:13310830171。

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