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AOZ5516QI是AOS(萬代)一款采用QFN5x5封裝的55A高功率DrMOS模塊。 它使用PWM和FCCM輸入來精確控制功率MOSFET的開關(guān)活動,兼容3V/5V邏輯,支持三態(tài)PWM。可驅(qū)動Low-Side MOSFET至二極管續(xù)流模式,以提供異步操作從而改善輕載性能。AOS代理商-中芯巨能將為大家提供AOZ5516QI中文參數(shù)、產(chǎn)品特點及現(xiàn)貨。
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功率級類型:DrMOS
包裹:QFN5x5A-31L
最小電壓( V):4.5
最大電壓( V):25
絕對最大 V (V):30
最大直流電流 (A):55
最大峰值 I (A):120
脈寬調(diào)制輸入(V):5
三態(tài)范圍 (V):1.6 - 3.4
最大頻率 (MHz):2
關(guān)機控制:FCCM=TS,PWM=TS
啟用二極管仿真模式:FCCM = L
輸入電壓范圍4.5V至25V
連續(xù)輸出電流55A
10µs開啟脈沖高達120A
開關(guān)頻率高達2MHz
兼容3V/5V PWM和三態(tài)輸入
支持Intel® Power State 4
FCCM控制用于二極管續(xù)流/CCM模式
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的3.5mm x 4.5mm QFN-31L封裝
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