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安森美 AR0220AT 傳感器：提高汽車在低光條件下的安全性能
發(fā)布時間：2024-01-03
?盡管汽車技術不斷進步，包括碰撞結構、安全氣囊、剎車和輪胎等方面的提升，提高了車輛的安全性，但我們仍然面臨著各種道路風險，尤其是在低光條件下。在這種情況下，高性能汽車傳感器成為確保行車安全的關鍵。安森美(onsemi)的AR0220AT傳感器是一...
英偉達投資巨資以確保HBM3內存供應，AI領域或將迎來爆發(fā)式增長
發(fā)布時間：2024-01-03
據(jù)知情人士透露，英偉達不僅大量預定了臺積電的產(chǎn)能，還投入了巨資以確保其HBM3內存的供應。公司已經(jīng)從美光和SK海力士處預購了價值介于700億至1萬億韓元的HBM3內存。盡管目前尚無公開的具體用途信息，但業(yè)內人士普遍認為這一舉措旨在確保2024年...
單片機具有哪些優(yōu)點和局限性
發(fā)布時間：2024-01-03
當涉及到嵌入式系統(tǒng)設計和電子設備開發(fā)時，單片機是一種常用的關鍵元件。它們是在一個芯片上集成了中央處理器、內存和各種外圍設備的微型計算機。下面由電子元器件現(xiàn)貨供應商-中芯巨能介紹單片機優(yōu)點和局限性。...
IGBT 飽和壓降的測量方法有哪些？【解答】
發(fā)布時間：2024-01-03
問：IGBT 飽和壓降的測量方法有哪些？電子元器件供應商-中芯巨能答：1. 電壓比較法：通過比較IGBT 的飽和狀態(tài)和非飽和狀態(tài)下的電壓差異來測量飽和壓降。2. 電流比較法：通過比較IGBT 的飽和狀態(tài)和非飽和狀態(tài)下的電流差異來測量飽和壓降。...
IGBT 的飽和區(qū)對電路性能有什么影響？【解答】
發(fā)布時間：2024-01-03
問：IGBT 的飽和區(qū)對電路性能有什么影響？電子元器件供應商-中芯巨能答：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的飽和區(qū)對電路性能有以下影響：1. 低導通壓降：在飽和區(qū)，IGBT 的導通壓降較小，可以減小功率損耗，提高電路效率。...
普冉半導體：通用MCU產(chǎn)品的發(fā)展歷程與市場策略
發(fā)布時間：2024-01-02
普冉半導體作為行業(yè)領先的低功耗、高可靠性非易失性存儲器芯片設計公司，基于領先的嵌入式工藝開發(fā)和存儲器設計技術，于2020年第三季度啟動了基于ARM內核的通用MCU產(chǎn)品線設計，并于2021年第四季度完成驗證。隨后，于2022年初啟動全面的市場推廣，歷...
光伏逆變系統(tǒng)方框圖 光伏逆變系統(tǒng)電子元器件
發(fā)布時間：2024-01-02
光伏逆變系統(tǒng)在可再生能源領域得到廣泛應用，例如在家庭和商業(yè)用途中的太陽能發(fā)電系統(tǒng)、光伏電站以及微電網(wǎng)系統(tǒng)中。它們對于提高能源利用率、減少對傳統(tǒng)能源的依賴以及減少環(huán)境影響都起著重要作用。隨著可再生能源的發(fā)展，光伏逆變系統(tǒng)也在不...
測試陶瓷電容好壞的常用方法
發(fā)布時間：2024-01-02
陶瓷電容器以其高穩(wěn)定性和可靠性而廣泛應用于電子電路中。 然而，與所有電子元器件?一樣，陶瓷電容器也會隨著時間的推移而失效或退化。 在本文中，我們將介紹一些測試陶瓷電容器性能的常用方法，以確保電子電路的正常運行。...
可編程直流穩(wěn)壓電源方框圖及所需電子元器件推薦
發(fā)布時間：2024-01-02
可編程直流穩(wěn)壓電源是一種電子設備，能夠提供穩(wěn)定、可調的直流電壓輸出。這種類型的電源通常被用于各種電子設備的研發(fā)、測試和生產(chǎn)環(huán)境中，因為它們提供了靈活性、精確性和可控性。電子元器件現(xiàn)貨供應商-中芯巨能為您提供可編程直流穩(wěn)壓電源...
2024年1月2日Intel/Altera芯片現(xiàn)貨庫存一覽表
發(fā)布時間：2024-01-02
阿爾特拉（Altera）半導體成立于1983，是一家專業(yè)設計、生產(chǎn)、銷售高性能、高密度可編程邏輯器件(PLD)及相應開發(fā)工具的一家公司。Altera公司(NASDAQ:ALTR)還是可編程芯片邏輯解決方案倡導者，幫助系統(tǒng)和半導體公司快速高效地實現(xiàn)創(chuàng)新,突出產(chǎn)品優(yōu)...
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