士蘭微電子SiC MOSFET榮獲ICDIA 2025創(chuàng)新突破獎(jiǎng)
在剛剛落幕的“第五屆中國集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)”(ICDIA 創(chuàng)芯展)上,士蘭微電子憑借其最新的SiC MOSFET產(chǎn)品SCDP120R007NB2CPW4榮獲了2025中國創(chuàng)新IC“創(chuàng)新突破獎(jiǎng)”。此次盛會(huì)于2025年7月11日至12日在蘇州成功舉辦,吸引了眾多行業(yè)專家和企業(yè)的...