安世半導(dǎo)體榮獲2024年度全球電子成就獎(jiǎng)“年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)”
在年度全球電子成就獎(jiǎng)(World Electronics Achievement Awards)的頒獎(jiǎng)典禮上,安世半導(dǎo)體憑借其1200 V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一獎(jiǎng)項(xiàng)不僅是對(duì)安世半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的認(rèn)可,更...