在年度全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards）的頒獎典禮上，安世半導體憑借其1200 V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半導體領域的卓越表現(xiàn)，榮獲“年度功率半導體產(chǎn)品獎”。這一獎項不僅是對安世半導體在功率半導體市場領導地位的認可，更是對其產(chǎn)品競爭力和技術創(chuàng)新能力的高度肯定。安世半導體碳化硅高級產(chǎn)品經(jīng)理董建云代表公司出席了頒獎典禮，并領取了這一榮譽獎項。

全球電子成就獎簡介

全球電子成就獎旨在表彰那些對推動全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出杰出貢獻的企業(yè)和個人。獲獎企業(yè)和產(chǎn)品均是各自領域的佼佼者，充分展示了他們在行業(yè)內(nèi)的領導地位和卓越表現(xiàn)。此次安世半導體的獲獎，再次證明了其在全球功率半導體市場的領先地位。

獲獎產(chǎn)品介紹

安世半導體于2024年5月推出的NSF030120D7A0是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET。該產(chǎn)品采用了成熟的7引腳TO-263塑料封裝，適用于表面貼裝PCB技術。NSF030120D7A0在多個關鍵性能參數(shù)上表現(xiàn)出色，尤其是在RDS(on)溫度穩(wěn)定性和高開關速度方面。

RDS(on) 溫度穩(wěn)定性：RDS(on)是影響傳導功率損耗的關鍵參數(shù)。通過創(chuàng)新的工藝技術，Nexperia的SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界領先的溫度穩(wěn)定性。在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on)的標稱值僅增加了38%，遠低于市場上的其他SiC器件。

高開關速度：NSF030120D7A0具備高開關速度，能夠顯著降低開關損耗，提高整體系統(tǒng)效率。

高短路耐用性：該產(chǎn)品具有出色的短路耐用性，能夠在極端條件下保持穩(wěn)定運行，確保系統(tǒng)的可靠性和安全性。

VGS(th)閾值電壓：NSF030120D7A0的VGS(th)閾值電壓器件間分布差異極低，這使得在并聯(lián)工作時，無論是在靜態(tài)還是動態(tài)條件下，都能實現(xiàn)非常均衡的載流性能。

低體二極管正向電壓(VSD)：較低的體二極管正向電壓有助于提高器件的穩(wěn)健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時間要求。

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應用領域

NSF030120D7A0因其出色的性能，特別適用于電動汽車充電、基礎設施、光伏逆變器和電機驅(qū)動等領域。這些應用對功率效率和系統(tǒng)可靠性要求極高，而NSF030120D7A0的卓越性能使其成為這些領域的首選產(chǎn)品。

未來展望

在IIC Shenzhen 2024同期舉行的高效電源管理及寬禁帶半導體技術論壇上，安世半導體碳化硅高級產(chǎn)品經(jīng)理董建云發(fā)表了關于Nexperia碳化硅技術的專題報告，詳細介紹了如何通過碳化硅技術賦能電氣化和綠色節(jié)能的未來。安世半導體將繼續(xù)致力于技術創(chuàng)新，推出更多高性能、高可靠性的功率半導體產(chǎn)品，為全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻力量。