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安世半導(dǎo)體推出1V保護(hù)二極管,適配USB4高頻接口

來源:安世半導(dǎo)體官網(wǎng)| 發(fā)布日期:2025-08-15 18:00:01 瀏覽量:

近日,安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布推出五款新型1V保護(hù)二極管,專為高速交流耦合射頻(RF)信號鏈路設(shè)計,旨在滿足USB4?和Thunderbolt?等超高速接口日益嚴(yán)苛的ESD與浪涌防護(hù)需求。新產(chǎn)品包括PESD1V0C1BSF、PESD1V0H1BSF等型號,面向智能手機(jī)、便攜設(shè)備、通信系統(tǒng)及計算機(jī)外設(shè)等應(yīng)用,提供兼具優(yōu)異射頻性能與高魯棒性的系統(tǒng)級保護(hù)方案。

隨著USB4和Thunderbolt接口數(shù)據(jù)速率突破10 GHz,信號完整性對保護(hù)器件的寄生參數(shù)極為敏感。傳統(tǒng)ESD保護(hù)方案往往在低電容與高防護(hù)能力之間難以兼顧。安世此次推出的1V保護(hù)二極管系列通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)與工藝,在確保超低電容的同時,實現(xiàn)強(qiáng)大的瞬態(tài)抑制能力。其典型電容值低至0.1 pF,顯著降低對高頻信號的干擾;在12.8 GHz下插入損耗僅為-0.21 dB,且在高達(dá)40 GHz頻率范圍內(nèi)無諧振現(xiàn)象,確保信號保真度。

1V保護(hù)二極管

在防護(hù)性能方面,該系列支持高達(dá)±18 kV的IEC 61000-4-2接觸放電保護(hù),并具備出色的浪涌耐受能力,平均峰值脈沖電流(Ipp)可達(dá)9.6 A,可有效應(yīng)對Vbus與高速差分線(TX/RX)之間因非合規(guī)Type-C連接導(dǎo)致的短路事件,保護(hù)后端敏感收發(fā)器IC。

安世半導(dǎo)體強(qiáng)調(diào)PCB布局對系統(tǒng)級ESD性能的關(guān)鍵影響。短走線布局雖有利于高頻傳輸,但可能加劇ESD鉗位效應(yīng);而長走線引入的寄生電感雖可緩解鉗位,卻可能惡化信號完整性。為此,新產(chǎn)品系列提供差異化設(shè)計選項,使工程師可根據(jù)實際布線環(huán)境靈活選型,實現(xiàn)保護(hù)性能與信號質(zhì)量的最佳平衡。

所有器件均采用安世成熟的DSN0603-2(SOD962-2)超小型無引腳封裝,尺寸僅為0.6 mm × 0.3 mm × 0.33 mm,具有極低的封裝電感,進(jìn)一步優(yōu)化高頻表現(xiàn)。該封裝已廣泛應(yīng)用于移動終端,具備良好的可制造性與熱穩(wěn)定性。

此外,安世還為該系列提供詳細(xì)的射頻參數(shù)模型及SEED(System Efficiency and ESD Design)仿真支持,幫助設(shè)計人員在早期階段評估器件在實際系統(tǒng)中的性能,縮短開發(fā)周期。

安世半導(dǎo)體高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示:“我們的目標(biāo)是為高速接口設(shè)計提供真正可擴(kuò)展的保護(hù)解決方案。這一新系列不僅提升了電氣性能邊界,更通過模型支持與封裝優(yōu)化,賦予工程師更大的設(shè)計自由度。”

隨著高速接口在消費(fèi)電子與數(shù)據(jù)中心的普及,兼具低寄生、高防護(hù)與小尺寸的ESD器件正成為系統(tǒng)設(shè)計的關(guān)鍵元件。安世此次推出的1V保護(hù)二極管系列,標(biāo)志著其在高頻保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先,也為下一代高速互連系統(tǒng)的可靠性提供了有力保障。

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