在當(dāng)前電力電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管因其卓越的開關(guān)性能和低損耗特性，正逐漸成為高壓大功率應(yīng)用的理想選擇。然而，GaN器件的應(yīng)用并非毫無挑戰(zhàn)，特別是對于增強型GaN（E-mode GaN），其較低的導(dǎo)通閾值電壓要求更加精確且穩(wěn)定的驅(qū)動電路設(shè)計。針對這一需求，納芯微推出了專門設(shè)計用于E-mode GaN的高壓半橋驅(qū)動芯片——NSD2622N。代理銷售納芯微旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹NSD2622產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)及應(yīng)用優(yōu)勢。如需NSD2622N產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

應(yīng)對E-mode GaN的設(shè)計挑戰(zhàn)

盡管GaN HEMT在提高電源系統(tǒng)效率方面表現(xiàn)出色，但實際部署時卻面臨諸多技術(shù)難題。特別是在高電壓、大電流環(huán)境下，若驅(qū)動電路設(shè)計不當(dāng)，極易導(dǎo)致誤導(dǎo)通現(xiàn)象，嚴(yán)重影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。傳統(tǒng)的解決方案包括使用集成驅(qū)動IC的GaN功率芯片或采用復(fù)雜的外部驅(qū)動電路，但這兩種方法要么缺乏靈活性，要么增加了設(shè)計復(fù)雜度和成本。

NSD2622N正是為了解決這些問題而生。它集成了正負壓穩(wěn)壓電路，并支持自舉供電，能夠提供穩(wěn)定可靠的驅(qū)動電壓，顯著簡化了GaN驅(qū)動電路的設(shè)計過程，同時提高了整體系統(tǒng)的可靠性與經(jīng)濟性。

產(chǎn)品特性詳解

NSD2622N是一款高度集成化的驅(qū)動芯片，專為E-mode GaN量身定制：

集成穩(wěn)壓電路：內(nèi)置可配置的5V至6.5V正壓輸出以及固定的-2.5V負壓輸出，確保了對GaN器件的有效控制。

強大的抗擾能力：具備超過200V/ns的dv/dt抑制能力和高達700V的SW耐壓范圍，適應(yīng)苛刻的工作環(huán)境。

高效的驅(qū)動能力：提供2A/-4A峰值驅(qū)動電流，滿足高速開關(guān)需求。

靈活的供電方式：支持自舉供電模式，減少了對外部電源的需求，降低了系統(tǒng)復(fù)雜度。

全面保護機制：包含欠壓鎖定（UVLO）、過溫保護等功能，增強了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

實際應(yīng)用中的優(yōu)勢

相比于傳統(tǒng)的Si MOSFET驅(qū)動方案，NSD2622N提供了更為穩(wěn)健的驅(qū)動電壓管理，解決了E-mode GaN常見的誤導(dǎo)通問題。通過內(nèi)置的正負穩(wěn)壓電源，該芯片能夠在各種工況下維持穩(wěn)定的關(guān)斷負壓，避免了因電容放電不穩(wěn)定而導(dǎo)致的潛在風(fēng)險。

此外，NSD2622N還大幅簡化了外圍電路設(shè)計，減少了所需元件數(shù)量，從而有效降低了系統(tǒng)成本。例如，在3kW PSU應(yīng)用場景中，采用NSD2622N可以省去復(fù)雜的隔離輔助電源設(shè)計，直接利用自舉供電實現(xiàn)高效能驅(qū)動。

結(jié)論

隨著電力電子行業(yè)對更高效率和更小體積的需求不斷增長，GaN技術(shù)的應(yīng)用前景廣闊。然而，如何有效地驅(qū)動這些高性能器件是一個亟待解決的問題。納芯微推出的NSD2622N不僅解決了這一難題，還為工程師們提供了一個簡單、可靠且經(jīng)濟的選擇。無論是數(shù)據(jù)中心電源、車載充電機還是其他高壓大功率應(yīng)用，NSD2622N都能發(fā)揮重要作用，助力推動GaN技術(shù)的廣泛應(yīng)用和發(fā)展。