全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。這款新產(chǎn)品不僅體積小巧、散熱性能出色，還具備優(yōu)異的電流容量和開關特性，適用于工業(yè)設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領域。此次，ROHM選擇將封裝工序外包給作為半導體后道工序供應商的ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.。如需GNP2070TD-Z產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

實現(xiàn)無碳社會的關鍵技術(shù)

為了實現(xiàn)無碳社會，“提高用電量占全球一大半的電源和電機的效率”已成為全球性的社會問題。功率元器件是提高其效率的關鍵，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望進一步提升各種電源的效率。ROHM于2023年4月將650V耐壓的第1代GaN HEMT投入量產(chǎn)，并于2023年7月將柵極驅(qū)動器和650V耐壓GaN HEMT一體化封裝的Power Stage IC投入量產(chǎn)。

為了應對大功率應用中的進一步小型化和高效率化的市場需求，ROHM在DFN8080封裝的基礎上追加了TOLL封裝，強化了650V GaN HEMT的封裝陣容。新產(chǎn)品在TOLL封裝中內(nèi)置第二代GaN on Si芯片，實現(xiàn)了更高的性能和效率。

新產(chǎn)品的優(yōu)勢與特點

1. 小巧且高效的TOLL封裝

TOLL封裝具有體積小、散熱性能優(yōu)異的特點，適合用于需要高密度設計的應用場景。這種封裝形式不僅減少了PCB上的空間占用，還提高了系統(tǒng)的整體散熱效果，有助于延長電子設備的使用壽命。

2. 優(yōu)異的電流容量和開關特性

新產(chǎn)品在導通電阻（RDS（ON））和輸入電容（Qoss）方面的表現(xiàn)達到了業(yè)界先進水平。具體來說，在與導通電阻和輸入電容相關的器件性能指標(RDS（ON）×Qoss)方面，數(shù)值表現(xiàn)尤為突出。這使得新產(chǎn)品在需要高耐壓且高速開關的電源系統(tǒng)中表現(xiàn)出色，能夠顯著提升系統(tǒng)的能效。

3. 適用于多種應用場景

新產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)設備、車載設備以及其他需要支持大功率的應用領域。特別是在電動汽車、數(shù)據(jù)中心、通信基站等領域，對電源系統(tǒng)的效率和可靠性要求極高，新產(chǎn)品可以有效滿足這些需求。

合作伙伴的選擇與合作模式

ROHM選擇將封裝工序外包給ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.（以下簡稱“ATX”）。ATX作為一家擁有豐富業(yè)績的半導體后道工序供應商（OSAT），在封裝工藝方面具有豐富的經(jīng)驗和先進的技術(shù)能力。通過與ATX的合作，ROHM能夠確保新產(chǎn)品的高質(zhì)量生產(chǎn)，同時加快產(chǎn)品上市速度，更好地滿足市場需求。

市場前景與未來展望

隨著全球?qū)δ茉葱实年P注日益增加，功率元器件的需求也在不斷增長。特別是GaN等新材料的應用，為電源系統(tǒng)的節(jié)能和小型化提供了新的解決方案。ROHM的新產(chǎn)品在TOLL封裝中內(nèi)置第二代GaN on Si芯片，不僅提升了器件的性能，還為市場帶來了更多的選擇。

未來，ROHM將繼續(xù)致力于研發(fā)和生產(chǎn)高性能的功率元器件，推動GaN技術(shù)的發(fā)展和應用。通過不斷創(chuàng)新，ROHM希望能夠為實現(xiàn)無碳社會做出更大的貢獻。同時，ROHM也將繼續(xù)加強與合作伙伴的合作，共同開發(fā)更多高效、可靠的電源解決方案，滿足不同行業(yè)的需求。

結(jié)語

ROHM推出的TOLL封裝650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”，憑借其小巧的體積、優(yōu)異的散熱性能和出色的電流容量及開關特性，成為工業(yè)設備、車載設備等領域的理想選擇。通過與ATX的合作，ROHM確保了新產(chǎn)品的高質(zhì)量生產(chǎn)，并加速了產(chǎn)品的市場推廣。未來，隨著技術(shù)的不斷進步，我們期待看到更多基于GaN技術(shù)的創(chuàng)新應用，進一步推動各行業(yè)的技術(shù)發(fā)展和能源效率提升。