碳化硅（SiC）器件憑借其卓越的性能表現(xiàn)，正在電力電子領(lǐng)域掀起一場(chǎng)革命。與傳統(tǒng)的硅（Si）MOSFET和IGBT相比，SiC器件具有更高的運(yùn)行頻率、更低的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗以及更好的熱導(dǎo)率，這使得它們?cè)趯?shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)時(shí)更具優(yōu)勢(shì)。安森美（onsemi）最新發(fā)布的1200V分立器件和模塊中的M3S技術(shù)進(jìn)一步推動(dòng)了這一趨勢(shì)，特別是在電動(dòng)汽車應(yīng)用中展現(xiàn)了巨大潛力。

SiC器件的優(yōu)勢(shì)

SiC器件的獨(dú)特材料特性使其在多個(gè)方面優(yōu)于傳統(tǒng)Si器件：

高運(yùn)行頻率：SiC器件可以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高系統(tǒng)的功率密度。

低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗：SiC器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu)，這些特性有助于降低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，提升能效。

更寬的工作溫度范圍：SiC器件可以在更寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，適合嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。

這些優(yōu)勢(shì)使SiC器件在電動(dòng)汽車的關(guān)鍵組件中得到廣泛應(yīng)用，如主驅(qū)逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器（OBC）等。

安森美的M3S技術(shù)

安森美推出的M3S技術(shù)代表了SiC MOSFET技術(shù)的最新進(jìn)展。該技術(shù)歷經(jīng)三代發(fā)展，從第一代M1到第三代M3，不斷優(yōu)化性能并降低導(dǎo)通電阻（RSP）。M3S技術(shù)特別適用于低電池電壓領(lǐng)域的高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，提供650V和1200V兩種電壓等級(jí)選項(xiàng)。

技術(shù)說(shuō)明：

M1：采用經(jīng)典的平面DMOS結(jié)構(gòu)，標(biāo)志著安森美首次進(jìn)軍SiC MOSFET市場(chǎng)。

M2：布局從正方形轉(zhuǎn)變?yōu)榧?xì)長(zhǎng)的六邊形，提高了單元電芯密度，并將襯底減薄70%以上，降低了寄生電阻，使RSP下降20%。

M3：引入條形設(shè)計(jì)，大幅減小單元電芯間距，使RSP再降30%。M3技術(shù)分為M3S和M3E/M3T兩種產(chǎn)品線，M3S專注于超低RSP，適合高速應(yīng)用。

產(chǎn)品組合： M3S 650V SiC MOSFET器件廣泛應(yīng)用于400V電動(dòng)汽車市場(chǎng)，尤其適用于車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。該系列產(chǎn)品提供三種封裝選項(xiàng)（TO-247-3、TO-247-4和D2Pak），導(dǎo)通電阻分別為23mΩ和32mΩ。不同封裝的電容相似，但功耗（PD）和結(jié)至外殼熱阻（RθJC）略有差異。

TO-247-4：四引腳版本通過(guò)開(kāi)爾文源連接，顯著降低了柵極環(huán)路中的寄生電感，提升了開(kāi)關(guān)性能，降低了漏源電壓尖峰和柵極振鈴，從而降低EMI并提高可靠性。

D2PAK：緊湊尺寸適合高集成度和高密度設(shè)計(jì)，但散熱管理更具挑戰(zhàn)性，因其散熱焊盤需通過(guò)PCB連接到散熱片，增加了額外的熱阻。

應(yīng)用場(chǎng)景與優(yōu)勢(shì)

SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用主要集中在以下幾個(gè)方面：

主驅(qū)逆變器：SiC MOSFET的低損耗和高效率特性使其成為主驅(qū)逆變器的理想選擇，能夠顯著提升車輛的整體能效。

DC-DC轉(zhuǎn)換器：SiC器件的高開(kāi)關(guān)頻率和低損耗有助于減小磁性元件的體積，提高變換器的功率密度和效率。

車載充電器（OBC）：使用SiC器件替代基于Si的電源MOSFET，不僅提高了OBC的功率密度和能效，還降低了系統(tǒng)成本。

未來(lái)展望

隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展，SiC器件的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。安森美通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品優(yōu)化，致力于為客戶提供高性能、低成本的解決方案。M3S技術(shù)的成功推出，不僅展示了SiC器件在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的巨大潛力，也為未來(lái)的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)指明了方向。

總之，SiC MOSFET以其卓越的性能和廣泛的適用性，正在成為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。安森美憑借其先進(jìn)的M3S技術(shù)，在推動(dòng)電動(dòng)汽車電源轉(zhuǎn)換技術(shù)進(jìn)步的同時(shí)，也為行業(yè)帶來(lái)了更多可能性。我們期待看到更多基于這項(xiàng)技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用，進(jìn)一步推動(dòng)電動(dòng)汽車和其他高要求行業(yè)的技術(shù)發(fā)展。