在電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步中，英飛凌科技再次引領(lǐng)潮流，推出了全新的CoolSiC? MOSFET 750V G1系列。這一系列產(chǎn)品不僅繼承了英飛凌20多年來(lái)在碳化硅（SiC）技術(shù)上的深厚積淀，更通過(guò)引入QDPAK TSC頂部散熱封裝技術(shù)，為工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)帶來(lái)了前所未有的性能提升。

CoolSiC? MOSFET 750V G1系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介

CoolSiC? MOSFET 750V G1系列以其高度可靠的750V工作電壓、卓越的開(kāi)關(guān)特性以及出色的熱管理能力，成為眾多應(yīng)用場(chǎng)景中的首選解決方案。該系列產(chǎn)品具有極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)與快速恢復(fù)電荷Qfr乘積，這使得它在同類(lèi)產(chǎn)品中擁有最佳的優(yōu)值系數(shù)（Figure of Merit, FoM），從而實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度。此外，所有器件均經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的雪崩測(cè)試，確保其能在極端條件下保持穩(wěn)定工作，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了更大的靈活性和可靠性。

值得一提的是，新型TSC（Top Side Cooling）封裝形式的應(yīng)用，是這次發(fā)布的一大亮點(diǎn)。這種創(chuàng)新的封裝方式允許熱量直接從芯片表面散發(fā)出去，而非傳統(tǒng)地通過(guò)印刷電路板傳導(dǎo)。這樣的設(shè)計(jì)有效減少了熱阻路徑長(zhǎng)度，提高了冷卻效率，并且簡(jiǎn)化了PCB布局。對(duì)于需要高功率密度的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，如電動(dòng)汽車(chē)充電站、光伏逆變器等，這意味著可以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率，同時(shí)降低系統(tǒng)的整體成本。

CoolSiC? MOSFET 750V G1家族包括了多種不同的型號(hào)，覆蓋了8mΩ至140mΩ的導(dǎo)通電阻范圍，滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)合的需求。無(wú)論是用于工業(yè)領(lǐng)域的固態(tài)繼電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)，還是服務(wù)于汽車(chē)行業(yè)的車(chē)載電池充電器、高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器，這些高性能的MOSFET都能夠提供穩(wěn)定而高效的電力傳輸支持。特別是針對(duì)那些對(duì)可靠性和安全性要求極高的應(yīng)用，比如高壓PTC加熱器模塊或斷路器，CoolSiC? MOSFET 750V G1憑借其優(yōu)異的抗寄生導(dǎo)通能力和單電源驅(qū)動(dòng)特性，成為了理想的選擇。

CoolSiC? MOSFET 750V G1系列產(chǎn)品型號(hào)

■ IMDQ75R008M1H

■ IMDQ75R016M1H

■ IMDQ75R040M1H

■ IMDQ75R140M1H

■ AIMDQ75R008M1H

■ AIMDQ75R016M1H

■ AIMDQ75R040M1H

■ AIMDQ75R140M1H

■ AIMBG75R016M1H

■ AIMBG75R040M1H

■ AIMBG75R140M1H

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