在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)因其卓越的性能而備受關(guān)注。安森美作為該領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊，在確保碳化硅器件的關(guān)鍵特性——柵極氧化物完整性（GOI）方面，采取了一系列詳盡的質(zhì)量控制措施，為產(chǎn)品提供堅實的保障。

控制：制定嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)

為了保證碳化硅技術(shù)的穩(wěn)定性，安森美制定了嚴(yán)密的控制方法和工具，如控制計劃、統(tǒng)計過程控制（SPC）以及過程故障模式和影響分析（FMEA）。這些措施不僅確保了制造流程的精確性和一致性，還為后續(xù)的工藝改進(jìn)提供了數(shù)據(jù)支持。通過收集生產(chǎn)過程中的各種數(shù)據(jù)，安森美能夠識別潛在的問題，并據(jù)此調(diào)整工藝參數(shù)，以提高產(chǎn)品的可靠性和一致性。

改進(jìn)：持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝

襯底或外延層中的缺陷、金屬污染物及顆粒的存在對柵極氧化物的質(zhì)量有著直接的影響。為此，安森美不斷尋求工藝上的改進(jìn)，力求減少這些因素帶來的負(fù)面影響。公司引入了先進(jìn)的清潔技術(shù)和材料處理方法，以降低雜質(zhì)含量，從而提升柵極氧化物的完整性和耐久性。此外，安森美還在不斷地研究新材料和技術(shù)的應(yīng)用，推動碳化硅制造工藝向更高層次發(fā)展。

測試和篩選：多級檢測確保品質(zhì)

在晶圓廠加工過程中，安森美采用了多種掃描技術(shù)，包括襯底掃描等，用于識別并標(biāo)記所有可能存在的缺陷。這不僅有助于排除有問題的產(chǎn)品，還能幫助工程師了解哪些環(huán)節(jié)可能出現(xiàn)工藝偏差。電氣篩選是另一個重要的質(zhì)量保證步驟，它涵蓋了從晶圓級性能驗收、老化測試到芯片分類等多個層面。其中，動態(tài)部件平均測試被用來剔除電氣異常值，確保每一片出廠的晶圓都經(jīng)過嚴(yán)格的100%自動化檢查。

表征：失效電荷評估法

對于柵極氧化物質(zhì)量的評價，安森美采用了一種更為精細(xì)的方法——失效電荷（QBD），這種方法不依賴于柵極氧化物的厚度，可以更準(zhǔn)確地反映其內(nèi)在性能。研究表明，非對稱平面碳化硅的本征QBD性能比硅高出50倍，顯示出其在擊穿電壓和壽命方面的顯著優(yōu)勢。通過對碳化硅MOSFET產(chǎn)品的QBD進(jìn)行采樣，并將其與大面積NMOS電容器對比，安森美能夠有效地監(jiān)控每個批次的柵極氧化物質(zhì)量，確保它們符合既定的標(biāo)準(zhǔn)。

鑒定和提取模型：可靠性預(yù)測

在定義應(yīng)力條件時，理解柵極氧化物的真實電流導(dǎo)通機制至關(guān)重要。安森美利用時間相關(guān)電介質(zhì)擊穿（TDDB）應(yīng)力測試來評估柵極氧化物的固有性能，結(jié)合Weibull統(tǒng)計分布，提取出產(chǎn)品的生命周期信息。傳統(tǒng)上，Arrhenius溫度加速度和柵極電壓E模型被廣泛應(yīng)用于加速壽命測試中，但安森美正在探索更加精準(zhǔn)的模型，旨在提供更為可靠的預(yù)測結(jié)果。

安森美的獨特優(yōu)勢

認(rèn)識到碳化硅在未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵作用，安森美投入了大量的資源進(jìn)行產(chǎn)能擴張和技術(shù)創(chuàng)新，致力于讓這一先進(jìn)技術(shù)更快地實現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用。憑借從原材料到成品的全流程掌控能力，安森美確保了產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和可追溯性。同時，公司在MOSFET和IGBT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識，加上多年來在封裝技術(shù)上的大量投資，使得安森美能夠根據(jù)客戶需求，開發(fā)出高性能的EliteSiC產(chǎn)品組合。特別是在電動汽車和工業(yè)市場，安森美提供的系統(tǒng)級PLECS仿真工具，為客戶縮短了產(chǎn)品上市時間，帶來了明顯的競爭優(yōu)勢。

注：我司代理銷售安森美旗下全系列IC電子元器件，如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。