第三代半導體助力新能源與可再生能源發(fā)展

來源：中芯巨能：提供選型指導+現(xiàn)貨供應+技術支持| 發(fā)布日期：2025-01-02 12:00:01 瀏覽量：

第三代半導體如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業(yè)正經歷高速發(fā)展，特別是在新能源汽車市場的推動下。新能源汽車行業(yè)對高效、高密度的功率器件需求旺盛，旨在延長車輛續(xù)航里程并優(yōu)化能量管理。

全球能源結構向可再生能源轉變的趨勢顯著，太陽能光伏和儲能系統(tǒng)的廣泛采用進一步刺激了對高效功率器件的需求。各國政府也在環(huán)保法規(guī)和能源戰(zhàn)略上給予大力支持，為第三代半導體技術提供了寶貴的發(fā)展機遇。據WSTS最新數據，2024年第三季度全球半導體市場達到了1660億美元的新高，環(huán)比增長10.7%，創(chuàng)下自2016年末以來的最大增幅。

GaN以其高頻、高功率和低能耗特性在射頻通信及電力電子領域大放異彩；而SiC則以高擊穿電場、高熱導率和高電子飽和速率見長，適用于高溫、高壓和高頻應用場景。相較于傳統(tǒng)硅基器件，第三代半導體具備更快的開關速度、更高的電流密度支持、更好的溫度耐受性和更低的損耗等優(yōu)點。然而，這些技術也面臨寄生電感效應、封裝寄生電阻以及電磁干擾等挑戰(zhàn)。

面對不同應用領域的特殊要求，選擇合適的制造技術對于提升器件性能和可靠性、降低成本至關重要。隨著新應用不斷涌現(xiàn)，功率器件的多樣化需求日益增加，半導體封裝技術作為實現(xiàn)高效率、高可靠性和低成本的關鍵環(huán)節(jié)，在優(yōu)化散熱、提高功率密度和熱管理效率、減少電能損耗等方面扮演著重要角色。通過持續(xù)的技術創(chuàng)新，第三代半導體器件不僅能夠充分發(fā)揮材料性能潛力，還能推動更多創(chuàng)新應用的發(fā)展，為行業(yè)注入新的活力。

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