英飛凌科技近日宣布推出全新的 CoolSiC? MOSFET 650V G2，其導(dǎo)通電阻僅為7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝。這款產(chǎn)品以第1代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC? MOSFET 第2代在硬開(kāi)關(guān)工況和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見(jiàn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，包括交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。

產(chǎn)品型號(hào)

IMW65R007M2H

IMZA65R007M2H

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產(chǎn)品特點(diǎn)

優(yōu)異的性能指標(biāo)（FOM）：在關(guān)鍵性能指標(biāo)上顯著改進(jìn)，提供卓越的性價(jià)比。

個(gè)位數(shù)RDS(on）：低導(dǎo)通電阻確保高效能。

堅(jiān)固耐用，整體質(zhì)量高：設(shè)計(jì)可靠，適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

靈活的驅(qū)動(dòng)電壓范圍：支持單電源驅(qū)動(dòng)，VGS（off）=0，避免誤開(kāi)通。

.XT技術(shù)改進(jìn)封裝互聯(lián)：提升散熱性能，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用價(jià)值

節(jié)省物料清單：減少系統(tǒng)組件，降低整體成本。

最大限度地提高單位成本的系統(tǒng)性能：在有限的成本內(nèi)實(shí)現(xiàn)最佳性能。

最高可靠性：確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行，減少維護(hù)需求。

實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度：優(yōu)化能源利用，提高系統(tǒng)效率。

易于使用：與現(xiàn)有供應(yīng)商完全兼容，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和集成過(guò)程。

允許無(wú)需風(fēng)扇或無(wú)散熱器設(shè)計(jì)：降低系統(tǒng)復(fù)雜性和成本。

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

開(kāi)關(guān)損耗極低：在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，減少能量損失。

標(biāo)桿性柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V：確保穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能。

柵極關(guān)斷電壓為0V，可抵御寄生導(dǎo)通：提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。

驅(qū)動(dòng)電壓靈活，與正負(fù)電源驅(qū)動(dòng)兼容：適應(yīng)多種電源配置，增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性。

用于硬換流的堅(jiān)固體二極管：在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)穩(wěn)定，減少故障風(fēng)險(xiǎn)。

.XT互聯(lián)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同類最佳的散熱性能：確保高效的熱量管理，延長(zhǎng)器件壽命。

應(yīng)用領(lǐng)域

開(kāi)關(guān)電源（SMPS）：提供高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換。

光伏逆變器：優(yōu)化太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的性能。

儲(chǔ)能系統(tǒng)：提高能量存儲(chǔ)和釋放的效率。

不間斷電源（UPS）：確保電力供應(yīng)的穩(wěn)定性和可靠性。

電動(dòng)汽車充電：加速電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：提升電機(jī)控制的精度和效率。

總結(jié)

英飛凌推出的 CoolSiC? MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4封裝，不僅在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，還在可靠性和成本優(yōu)化方面表現(xiàn)出色。這些特性使其成為多種應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇，特別是在需要高效能和高可靠性的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。英飛凌通過(guò)不斷創(chuàng)新，繼續(xù)引領(lǐng)功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。