幾十年來(lái)，硅（Si）一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料，但隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性日益顯現(xiàn)。寬禁帶（WBG）材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其更高的電壓、頻率和溫度工作能力，被視為解決之道。SiC的禁帶寬度為3.3eV，遠(yuǎn)高于硅的1.1eV，使其在高壓、大功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

碳化硅（SiC）的優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC）并非新鮮事物，但其在高壓、大功率應(yīng)用中的優(yōu)越特性使其逐漸嶄露頭角。SiC的高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速度和高擊穿電場(chǎng)，使得SiC設(shè)計(jì)相比硅MOSFET或IGBT具有更低的損耗、更快的開(kāi)關(guān)速度和更小的幾何尺寸。這些特性使其在電動(dòng)汽車（EV）、太陽(yáng)能逆變器和固態(tài)變壓器等應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。

制造挑戰(zhàn)

SiC的制造面臨諸多挑戰(zhàn)。首先，SiC晶錠需要在高溫下通過(guò)氣相技術(shù)（升華法）生長(zhǎng)，每小時(shí)生長(zhǎng)速度僅為0.5毫米。此外，SiC的極端硬度使得切割晶圓非常困難。盡管如此，安森美公司已能夠常規(guī)生產(chǎn)8英寸的SiC襯底。支持研究

安森美認(rèn)識(shí)到學(xué)術(shù)界在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展中的重要性，正在多個(gè)領(lǐng)域開(kāi)展研究，包括對(duì)宇宙射線的抗擾性、柵極氧化物的固有壽命建模等。公司還出資800萬(wàn)美元，與賓夕法尼亞州立大學(xué)（PSU）的安森美碳化硅晶體中心（SiC3）進(jìn)行戰(zhàn)略合作，并與歐洲其他六家教育機(jī)構(gòu)合作，推動(dòng)SiC技術(shù)的發(fā)展。

安森美的制造優(yōu)勢(shì)

安森美為SiC器件提供了完全集成的供應(yīng)鏈，從晶錠生長(zhǎng)到最終產(chǎn)品封裝，全面控制每個(gè)環(huán)節(jié)和相關(guān)質(zhì)量。這種垂直整合的供應(yīng)鏈不僅有助于提高產(chǎn)量和控制成本，還能確保生產(chǎn)出零缺陷的高可靠性產(chǎn)品。

成功的五個(gè)步驟

安森美采用五步方法應(yīng)對(duì)SiC的特定挑戰(zhàn)，包括控制、改進(jìn)、測(cè)試和篩選、特性描述和鑒定。這些步驟確保了柵極氧化物的完整性和可靠性，從而提高了SiC器件的整體性能和壽命。

安森美SiC的不同之處

安森美深知碳化硅在未來(lái)電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵作用，特別是在汽車和可再生能源等領(lǐng)域的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。公司的垂直整合供應(yīng)鏈不僅控制了成本，還確保了向汽車和工業(yè)制造商提供零缺陷的產(chǎn)品。通過(guò)持續(xù)的投資和創(chuàng)新，安森美致力于推動(dòng)SiC技術(shù)的快速發(fā)展，滿足現(xiàn)代電力應(yīng)用的需求。我司代理銷售安森美旗下全系列IC電子元器件，如需采購(gòu)、申請(qǐng)樣片測(cè)試、產(chǎn)品規(guī)格書等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。