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意法半導體STGAP2SICSA:為SiC MOSFET提供安全可靠的柵極驅動解決方案

來源:意法半導體官網| 發(fā)布日期:2024-08-14 09:25:20 瀏覽量:

意法半導體(ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器產品線旨在提供一種完美的結合:穩(wěn)健性、可靠性、系統集成性和靈活性。這些驅動器集成了高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器,適用于多種應用場合。在確保安全控制方面,STGAP系列隔離柵極驅動器尤其突出,它在輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供了電氣隔離,確保了無縫集成和優(yōu)質性能。

選擇正確的柵極驅動器的重要性

隨著碳化硅(SiC)技術的廣泛應用,對可靠且安全的控制解決方案的需求變得更為迫切。ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅動器成為了不可或缺的一部分。STGAP2SICS系列針對SiC MOSFET的安全控制進行了特別優(yōu)化,并能在高達1200V的高壓下工作,使其成為節(jié)能型電源系統、驅動器和控制裝置的理想選擇。從工業(yè)電動汽車充電系統到太陽能、感應加熱和汽車OBC DC-DC轉換器,STGAP2SICS系列能夠簡化設計、節(jié)省空間,并增強系統的穩(wěn)健性和可靠性。

STGAP2SICSA:汽車級柵極驅動器

STGAP2SICSA是一款符合汽車AEC-Q100標準的單通道柵極驅動器,專門優(yōu)化用于控制SiC MOSFET。它采用了節(jié)省空間的窄體SO-8封裝(型號:STGAP2SICSAN)和寬體SO-8W封裝(型號:STGAP2SICSA),能夠通過精確PWM控制提供強大的性能。

意法半導體STGAP2SICSA

STGAP2SICSA在柵極驅動通道和低壓控制之間具有電氣隔離,能夠在高達1700V(SO-8封裝)和1200V(SO-8W封裝)的電壓下工作。它具有小于45ns的輸入到輸出傳播時間,確保了高PWM精度,并憑借±100V/ns的共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)實現了可靠的開關操作。內置保護功能包括欠壓鎖定(UVLO),防止SiC電源開關在低效率或不安全條件下運行,以及熱關斷,一旦檢測到結溫過高則會降低兩個驅動器的輸出。

STGAP2SICSA具有帶米勒鉗位功能的單輸出配置,這種配置增強了高頻硬開關應用的穩(wěn)定性,并利用米勒鉗位來防止電源開關發(fā)生振蕩。

STGAP2SICSA的邏輯輸入低至3.3V,并與TTL和CMOS邏輯兼容,簡化了與主機微控制器或DSP的連接。該驅動器在高達26V的柵極驅動電壓下能夠提供高達4A的推拉電流。具有獨立輸入引腳的關斷模式有助于最大限度地降低系統功耗。如需STGAP2SICSA產品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。

合作伙伴關系

近期,ST宣布與致瞻科技(ZINSIGHT)建立了合作伙伴關系。ZINSIGHT是一家在全球范圍內唯一一家在新能源汽車400V、800V、1000V平臺上成熟量產基于碳化硅方案的電動壓縮機控制器企業(yè)。ST的第三代SiC MOSFET和隔離柵極驅動器技術在ZINSIGHT的一流電動壓縮機解決方案中得到了成功的應用,這標志著雙方在碳化硅技術領域的緊密合作,共同推動了電動汽車行業(yè)的技術創(chuàng)新與發(fā)展。

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