安森美發(fā)布第7代1200V QDual3絕緣柵雙極晶體管功率模塊，助力能源管理效率提升

來源：安森美官網| 發(fā)布日期：2024-06-12 14:18:01 瀏覽量：

安森美（onsemi）近日推出了最新的第7代1200V QDual3絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功率模塊。這款模塊相較于其他同類產品具有更高的功率密度，并提供高達10%的額外輸出功率。基于新的場截止第7代（FS7）IGBT技術的800安培（A） QDual3模塊，帶來了業(yè)界領先的能效表現，有助于降低系統(tǒng)成本并簡化設計。

適用于150千瓦逆變器的QDual3模塊，與同類產品相比可以減少200瓦（W）的損失，大大縮減了散熱器的尺寸。這款模塊專為在惡劣條件下工作而設計，非常適用于大功率變流器，例如太陽能發(fā)電站中央逆變器、儲能系統(tǒng)（ESS）、商用農業(yè)車輛（CAV）和工業(yè)電機驅動器。目前，用戶可以根據不同的應用需求選擇NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG這兩種產品。

隨著可再生能源采用率不斷增加，對高峰需求管理和持續(xù)供電保障等相關解決方案的需求也在逐漸增長。為了維持電網的穩(wěn)定性并降低成本，必須在電力需求高峰時段削減用電量，采取削峰填谷的措施。借助QDual3模塊，制造商可以設計出在相同系統(tǒng)尺寸下功率更強的太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)，提高能源管理效率，增強儲存能力，從而更順暢地將太陽能電力并入電網。

此外，該模塊支持將多余的電力儲存在儲能系統(tǒng)中，有效緩解太陽能發(fā)電的間歇性問題，確保供電的可靠性和穩(wěn)定性。對于大型系統(tǒng)應用，可以通過并聯多個模塊來提升輸出功率，達到數兆瓦級別。相較于傳統(tǒng)的600A模塊解決方案，800A的QDual3模塊明顯減少所需模塊數量，大大簡化設計復雜度并降低系統(tǒng)成本。

QDual3 IGBT模塊采用800A半橋配置，集成了新的第7代溝槽場截止IGBT和二極管技術，結合了安森美的先進封裝技術，有效降低了開關損耗和導通損耗。借助FS7技術，裸片尺寸減小了30%，每個模塊能容納更多裸片，提高了功率密度，最大電流容量可達800A或更高。該800A QDual3模塊的IGBT Vce(sat)僅為1.75V（175℃），Eoff也較低，能量損耗比最接近的替代方案低10%。此外，QDual3模塊還滿足嚴格的汽車應用標準。如需產品規(guī)格書、選型指導、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

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