最近業(yè)界消息稱，一家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司成功制造出了第一臺(tái)核心部件完全國(guó)產(chǎn)化的高端晶圓激光切割設(shè)備。晶圓切割是將硅晶圓切割成單個(gè)芯片的過程。由于晶圓上刻有非常精密的電路，切割過程需要極高精度的設(shè)備。為了更好地理解晶圓切割的過程，我們可以簡(jiǎn)要了解一下芯片制造的流程。

在上游材料廠，從晶體硅錠開始加工，制備晶圓片，并通過拋光等步驟準(zhǔn)備晶圓材料。代工廠在收到晶圓片后，需要經(jīng)過濕洗等步驟進(jìn)行光刻準(zhǔn)備工作。首先，在晶圓上使用光刻機(jī)打印特定的電路圖案，然后通過離子注入改變導(dǎo)電特性，接著進(jìn)行蝕刻和電鍍等加工步驟，最后清洗晶圓表面并進(jìn)行電氣測(cè)試和性能分類。

完成上述所有工作后，就到了晶圓切割的階段，將晶圓分離成單個(gè)芯片，然后進(jìn)行封裝，變成了電子元器件。

晶圓切割方法包括機(jī)械鋸切、激光切割、晶圓劃片和等離子切割等。這次國(guó)內(nèi)制造的晶圓切割設(shè)備完全采用激光切割方式。

據(jù)悉，這臺(tái)設(shè)備是由華工科技激光半導(dǎo)體產(chǎn)品黃偉團(tuán)隊(duì)制造的，并在半導(dǎo)體激光設(shè)備領(lǐng)域攻克了多個(gè)中國(guó)第一。

由于晶圓材料質(zhì)地堅(jiān)硬而脆弱，一張12英寸的晶圓片可以得到成千上萬個(gè)芯片。無論使用機(jī)械切割還是激光切割，由于材料接觸和高速運(yùn)動(dòng)，都會(huì)產(chǎn)生熱影響和崩邊，從而影響芯片的性能。

因此，控制熱影響和崩邊尺寸是晶圓切割設(shè)備需要突破的技術(shù)難題。

據(jù)介紹，這款國(guó)產(chǎn)化的晶圓激光切割設(shè)備采用了先進(jìn)的激光技術(shù)和控制系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的切割，切割線寬甚至可以做到10微米以內(nèi)。相比傳統(tǒng)的機(jī)械鋸切方法，激光切割具有更高的精度和效率，能夠更好地保護(hù)芯片的質(zhì)量和性能。

此外，該設(shè)備還具備自動(dòng)化程度高、操作簡(jiǎn)便、穩(wěn)定性強(qiáng)等特點(diǎn)，可以提高生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本。

華工科技表示，他們正在不斷研發(fā)和改進(jìn)晶圓激光切割設(shè)備，計(jì)劃在今年7月推出新產(chǎn)品。同時(shí)，他們還在開發(fā)國(guó)內(nèi)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的第三代半導(dǎo)體晶圓激光退火設(shè)備，以滿足不斷發(fā)展的半導(dǎo)體行業(yè)需求。

黃偉團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示，激光技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域是無邊界的，還有很多未知的領(lǐng)域需要大膽探索。他們有信心讓中國(guó)的激光裝備在更多的細(xì)分領(lǐng)域達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

這次國(guó)內(nèi)制造的晶圓激光切割設(shè)備的成功研發(fā)和推出，不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的空白，也為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了重要支持。隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，國(guó)產(chǎn)化的高端設(shè)備將有助于提高產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新能力，減少對(duì)進(jìn)口設(shè)備的依賴，推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步壯大。

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