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HGTG30N60A4D是安森美的一款Vce=600V，Ic=75A，Vce(sat)=1.8V的MOSFET ，代理銷售onsemi(安森美)旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供HGTG30N60A4D中文參數(shù)、產品手冊及現(xiàn)貨。
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制造商產品型號：HGTG30N60A4D
制造商：ON Semiconductor
描述：IGBT 600V 75A 463W TO247
系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
產品系列：-
零件狀態(tài)：不適用於新設計
IGBT類型：-
電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
電流-集電極(Ic)（最大值）：75A
電流-集電極脈沖(Icm)：240A
不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，30A
功率-最大值：463W
開關能量：280μJ（開），240μJ（關）
輸入類型：標準
柵極電荷：225nC
25°C時Td（開/關）值：25ns/150ns
測試條件：390V，30A，3 歐姆，15V
反向恢復時間(trr)：55ns
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3
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