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2024年半導體市場觀察：全球復蘇態(tài)勢漸顯
發(fā)布時間：2024-06-07
全球經(jīng)濟在5月仍然未能完全穩(wěn)定，展現(xiàn)出疲弱的復蘇趨勢。除美國、日本和韓國外，中國、歐盟等主要經(jīng)濟體都面臨一定壓力，處于榮枯平衡線以下。截至2024年4月，中國電子信息制造業(yè)持續(xù)穩(wěn)步增長，出口狀況好轉(zhuǎn)，效益不斷改善，投資增長迅速，整體行業(yè)勢頭明...
2024年臺灣存儲芯片市場趨勢分析：DDR5產(chǎn)能分配引發(fā)行業(yè)價格上漲
發(fā)布時間：2024-06-07
根據(jù)臺灣業(yè)界消息，2024年，主要存儲芯片制造商已經(jīng)著手分配DDR5芯片的產(chǎn)能。這一舉動意味著存儲芯片價格可能面臨上漲，甚至有預計在年底前上漲10%到20%的可能性。據(jù)知情人透露，存儲芯片原廠目前正忙于處理DDR4芯片庫存問題，但考慮到傳統(tǒng)旺季即將...
AOS推出第二代 SiC MOSFET 封裝組合，賦予設計靈活性
發(fā)布時間：2024-06-07
2024年6月6日，全球功率半導體、芯片及數(shù)字電源產(chǎn)品供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，納斯達克股票代碼：AOSL）宣布擴展其第二代650V至1200V aSiC MOSFET的封裝組合選項。這一全新封裝產(chǎn)品組合適用于插電式混合動力／電動汽車（xEV）車...
意法半導體發(fā)布EVSPIN32G4-DUAL演示板：高效控制兩電機運轉(zhuǎn)
發(fā)布時間：2024-06-07
意法半導體最新推出的EVSPIN32G4-DUAL演示板展示了通過僅使用一個高度集成的電機驅(qū)動器STSPIN32G4即可控制兩臺電機運轉(zhuǎn)的技術。這一創(chuàng)新加快了產(chǎn)品開發(fā)周期，簡化了PCB電路板設計，并降低了物料成本。EVSPIN32G4-DUAL電路板的推出將有助于縮...
恩智浦雷達技術助力汽車ADAS的發(fā)展
發(fā)布時間：2024-06-07
雷達是汽車ADAS的核心技術，能夠有效增強道路安全性，提高駕駛員的便利性。近年來，恩智浦公司提供的可擴展產(chǎn)品組合成為了業(yè)界關注焦點，該產(chǎn)品系列包括高度集成、功能安全、信息安全的MMIC、處理器和SoC，滿足了不斷升級的安全要求，實現(xiàn)了2+級及更...
智能功率模塊（IPM）的應用特點及優(yōu)勢
發(fā)布時間：2024-06-06
智能功率模塊（Intelligent Power Module，IPM）是一種集成電力半導體器件和驅(qū)動器的模塊化解決方案，廣泛應用于各種電力控制和驅(qū)動應用中。IPM具有諸多特點和優(yōu)勢，使其成為許多電機驅(qū)動和功率控制系統(tǒng)中的首選解決方案。一、高度集成、模塊化設計...
意法半導體在意大利卡塔尼亞建設碳化硅產(chǎn)業(yè)園
發(fā)布時間：2024-06-06
意法半導體（ST）宣布在意大利卡塔尼亞興建碳化硅產(chǎn)業(yè)園，將成為碳化硅生態(tài)圈的中心，該項目預計于2026年開始運營，并在2033年前達到全部產(chǎn)能。意法半導體近日宣布，在意大利卡塔尼亞將建成一座綜合性大型制造基地，專門用于生產(chǎn)8英寸碳化硅（SiC）功率器件...
線性穩(wěn)壓器發(fā)展趨勢分析
發(fā)布時間：2024-06-06
隨著電子設備的不斷發(fā)展和普及，線性穩(wěn)壓器在電源管理領域扮演著至關重要的角色。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器具有簡單、低噪聲、易于設計等優(yōu)點，但在功耗、效率和穩(wěn)定性方面存在一定的缺陷。為了適應新時代的需求，線性穩(wěn)壓器也在不斷進行技術創(chuàng)新和改進...
英飛凌與上能電氣攜手推動儲能行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展
發(fā)布時間：2024-06-06
2024年6月，中國上海訊——近日，英飛凌宣布與上能電氣股份有限公司達成合作，為上能電氣提供業(yè)界領先的1200V EconoDUAL? 3功率模塊，用于2MW集中式儲能應用。這一合作對提升功率密度、簡化系統(tǒng)設計以及提升產(chǎn)品市場競爭力具有積極作用。英飛凌...
美光推出業(yè)界領先GDDR7顯存解決方案
發(fā)布時間：2024-06-06
美國Micron Technology, Inc.（納斯達克代碼：MU）在今日宣布推出了業(yè)界容量密度最高的全新一代GDDR7顯存。這款美光GDDR7采用了公司獨特的1β（1-beta）DRAM技術和創(chuàng)新架構，通過優(yōu)化的功耗設計實現(xiàn)了高達32 Gb/s的高性能內(nèi)存速率。該顯存的系統(tǒng)帶寬...
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