安世半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品的卓越優(yōu)勢及應(yīng)用領(lǐng)域介紹
安世半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品的主要優(yōu)勢在于其出色的性能平衡。通過創(chuàng)新工藝技術(shù),首款SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性,工作溫度范圍25℃至175℃內(nèi),RDS(on)標(biāo)稱值僅增加38%。其總柵極電荷(QG)低,帶來更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗,同時(shí)QGD與QGS比率低,提高...