MOS場(chǎng)效應(yīng)管在可變電阻區(qū),漏源電阻RDS受誰(shuí)控制
在MOS場(chǎng)效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的工作中,一個(gè)重要參數(shù)是漏源電阻(RDS)。特別是在MOS管處于可變電阻區(qū)時(shí),RDS的大小對(duì)其性能和特性起著關(guān)鍵作用。那么在可變電阻區(qū),MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏源電阻受誰(shuí)控制呢?這是一個(gè)值...