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英飛凌670V TRENCHSTOP? IGBT7 PR7：革新升壓PFC電路的高性能選擇
發(fā)布時間：2025-01-10
英飛凌科技推出了全新的670V TRENCHSTOP? IGBT7 PR7系列產(chǎn)品，專為家用及商用空調(diào)（RAC/CAC）和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)的升壓功率因數(shù)校正（PFC）電路而設(shè)計。作為TRENCHSTOP? IGBT 5的升級版，這款I(lǐng)GBT不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)良特性，還在電磁干擾（EMI）控制...
2025年全球半導(dǎo)體行業(yè)迎來18個新晶圓廠建設(shè)項目
發(fā)布時間：2025-01-10
根據(jù)SEMI最新的全球晶圓廠預(yù)測季度報告，預(yù)計2025年半導(dǎo)體行業(yè)將啟動18個新的晶圓廠建設(shè)項目，其中包括3座200毫米和15座300毫米晶圓設(shè)施。這些項目大部分計劃在2026年至2027年間投入運營，顯示出全球范圍內(nèi)對半導(dǎo)體制造能力的持續(xù)投資。各地區(qū)...
提升LED驅(qū)動控制電路抗干擾能力的優(yōu)化措施
發(fā)布時間：2025-01-10
軟件優(yōu)化措施定時刷新初始化設(shè)置及顯示數(shù)據(jù) 為了減少電磁干擾導(dǎo)致的異常復(fù)位或顯示錯亂，建議通過軟件加入定時刷新機制。此方法可以縮短顯示處于異常狀態(tài)的時間，使其迅速恢復(fù)正常。刷新速率應(yīng)根據(jù)MCU的資源情況調(diào)整，通常推薦每隔數(shù)十毫秒到數(shù)...
長電科技完成晟碟半導(dǎo)體80%股權(quán)收購，邁出戰(zhàn)略發(fā)展新步伐
發(fā)布時間：2025-01-09
長電科技在2024年3月4日審議通過了全資子公司長電科技管理有限公司收購晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司80%股權(quán)的議案。此次收購標志著長電科技在其發(fā)展戰(zhàn)略上邁出了重要一步，旨在通過整合優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)和技術(shù)資源，進一步提升自身在全球半導(dǎo)體封裝測試領(lǐng)...
意法半導(dǎo)體：以綠色技術(shù)助力彭水可持續(xù)發(fā)展
發(fā)布時間：2025-01-09
意法半導(dǎo)體作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，始終將可持續(xù)發(fā)展視為企業(yè)競爭力的核心，并通過研發(fā)碳化硅等綠色技術(shù)推動產(chǎn)業(yè)增長。2024年6月，隨著與三安光電的碳化硅合資工廠在重慶落地，意法半導(dǎo)體攜手重慶市彭水自治縣啟動了深入的可持續(xù)發(fā)展合作項...
Diodes 推出新款汽車級36通道線性LED驅(qū)動器 AL5887Q
發(fā)布時間：2025-01-09
Diodes公司（Nasdaq：DIOD）近期推出了一款符合汽車規(guī)格的36通道線性LED電流驅(qū)動器AL5887Q，旨在為設(shè)計人員提供一個靈活且高效的解決方案，以實現(xiàn)內(nèi)外部燈具中多樣化的動態(tài)照明模式與顏色深度。這款新型驅(qū)動器不僅簡化了LED模塊的設(shè)計復(fù)雜度，還顯著...
美光科技走進清華：探索3D NAND與固態(tài)存儲技術(shù)
發(fā)布時間：2025-01-09
12月21日，美光科技中國區(qū)工程技術(shù)專家組成員馬明、張朔和王輝一行訪問清華大學(xué)電子工程系，舉辦了一場主題為“邁向3D NAND與固態(tài)存儲時代”的專題課程。此次活動吸引了大量對人工智能背景下存儲與計算發(fā)展趨勢感興趣的清華學(xué)子參與。在課堂...
中微愛芯電容觸摸芯片：安全可靠，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代設(shè)備
發(fā)布時間：2025-01-09
中微愛芯推出的電容式觸摸感應(yīng)按鍵芯片，如TK8021、TK8022、TK8023、AiP5905、AiP5908和AiP5916，能夠穿透絕緣材質(zhì)檢測人體手指的電荷移動，實現(xiàn)非接觸式的觸摸感應(yīng)。這種感應(yīng)方式不僅對人體更為安全可靠，還具備高靈敏度、強抗干擾能力以及防水...
中微愛芯AiP3842/3/4/5系列：高效電流控制PWM集成電路
發(fā)布時間：2025-01-09
中微愛芯AiP3842/3/4/5系列產(chǎn)品是基于電流控制方式的脈寬調(diào)制（PWM）集成電路。相較于傳統(tǒng)的電壓控制方式，該系列產(chǎn)品在負載響應(yīng)速度和線性調(diào)整度方面表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，能夠直接驅(qū)動雙極型晶體管、MOSFET和IGBT等功率型半導(dǎo)體器件，適用于需要高效能...
安森美：碳化硅制造中的柵極氧化物質(zhì)量控制與改進
發(fā)布時間：2025-01-09
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)因其卓越的性能而備受關(guān)注。安森美作為該領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊，在確保碳化硅器件的關(guān)鍵特性——柵極氧化物完整性（GOI）方面，采取了一系列詳盡的質(zhì)量控制措施，為產(chǎn)品提供堅實的保障。控制：制定嚴格標準為了保證碳化硅技術(shù)的穩(wěn)...
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