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Microchip推出3.3 kV XIFM mSiC?柵極驅(qū)動(dòng)器,助力碳化硅技術(shù)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域的快速采用

來源:Microchip官網(wǎng)| 發(fā)布日期:2024-02-23 15:48:20 瀏覽量:

Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)日前推出了采用Augmented Switching? 專利技術(shù)的3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在幫助開發(fā)人員快速部署SiC解決方案,推動(dòng)碳化硅(SiC)技術(shù)在交通、電網(wǎng)和重型汽車等中高壓應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

這款柵極驅(qū)動(dòng)器采用預(yù)配置模塊設(shè)置,開箱即用,大大縮短了設(shè)計(jì)和評(píng)估時(shí)間。XIFM數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)緊湊,具備數(shù)字控制、集成電源和可提高抗噪能力的堅(jiān)固光纖接口。其預(yù)配置的“開/關(guān)”柵極驅(qū)動(dòng)曲線可量身定制,以優(yōu)化模塊性能。

Microchip推出3.3 kV XIFM mSiC?柵極驅(qū)動(dòng)器

該柵極驅(qū)動(dòng)器具有10.2 kV初級(jí)到次級(jí)強(qiáng)化隔離,內(nèi)置監(jiān)控和保護(hù)功能,包括溫度和直流鏈路監(jiān)控、欠壓鎖定(UVLO)、過壓鎖定(OVLO)、短路/過流保護(hù)(DESAT)和負(fù)溫度系數(shù)(NTC)。此外,該柵極驅(qū)動(dòng)器符合鐵路應(yīng)用的重要規(guī)范EN 50155標(biāo)準(zhǔn)。

Microchip碳化硅業(yè)務(wù)部副總裁Clayton Pillion表示:“Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC柵極驅(qū)動(dòng)器等交鑰匙解決方案,使電源系統(tǒng)開發(fā)商更容易采用寬帶隙技術(shù)。通過預(yù)配置柵極驅(qū)動(dòng)電路,該解決方案可將設(shè)計(jì)周期縮短50%,為碳化硅市場的發(fā)展和更高電壓極限的突破提供了有力支持。”

Microchip在SiC器件和電源解決方案領(lǐng)域擁有20多年的豐富經(jīng)驗(yàn),能夠幫助客戶輕松、快速、放心地采用SiC。Microchip的mSiC?產(chǎn)品系列包括SiC MOSFET、二極管和柵極驅(qū)動(dòng)器,提供標(biāo)準(zhǔn)、修改和定制選項(xiàng),為客戶提供最低的系統(tǒng)成本、最快的上市時(shí)間和最低的風(fēng)險(xiǎn)。如需數(shù)據(jù)手冊、樣片測試、采購、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。

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