Nexperia推出新一代GaN FET器件，采用了新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。

Nexperia最近宣布推出了新款GaN FET器件，采用了新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝。這一突破性的封裝方案為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供了更多選擇。

經(jīng)過二十多年的努力，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識。現(xiàn)在，他們成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場效應管(GaN FET)，推出了GAN039-650NTB，這是一款33mΩ(典型值)的氮化鎵場效應管，采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術，開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結(jié)合的新時代。這項技術為太陽能和家用熱泵等可再生能源應用帶來諸多優(yōu)勢，進一步加強了Nexperia為可持續(xù)應用開發(fā)前沿器件技術的承諾。該技術還適用于廣泛的工業(yè)應用，如伺服驅(qū)動器、開關模式電源(SMPS)、服務器和電信應用。

Nexperia的創(chuàng)新型CCPAK封裝采用了Nexperia成熟的銅夾片封裝技術，無需內(nèi)部焊線，從而可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高了器件的可靠性。為了更大限度地提升設計靈活性，CCPAK GaN FET提供頂部或底部散熱配置，進一步改善散熱性能。

GAN039-650NTB的級聯(lián)配置使其能夠提供出色的開關和導通性能，此外其穩(wěn)健可靠的柵極結(jié)構(gòu)可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡化應用設計，無需復雜的柵極驅(qū)動器和控制電路，只需使用標準硅MOSFET驅(qū)動器即可輕松驅(qū)動這些器件。Nexperia的GaN技術提高了開關穩(wěn)定性，并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外，器件的RDS(on)在25℃時僅為33 mΩ(典型值)，同時其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效的體二極管導通壓降。

Nexperia副總裁兼GaN FET業(yè)務部總經(jīng)理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻認識到，工業(yè)和可再生能源設備的設計人員需要一種高度穩(wěn)健的開關解決方案，以便在進行功率轉(zhuǎn)換時實現(xiàn)出色的熱效率。因此Nexperia決定推出了GAN039-650NTB型號，這款器件采用了我們最新的高壓GaN HEMT技術和CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用提供了更多選擇。

Nexperia的GaN FET器件在提供高效能量轉(zhuǎn)換的同時，還具有出色的熱性能和可靠性。我們的CCPAK封裝技術結(jié)合了銅夾片封裝的優(yōu)勢，無需內(nèi)部焊線，減少了寄生損耗，提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。此外，CCPAK GaN FET提供頂部或底部散熱配置，進一步改善了散熱性能，為設計人員提供更大的靈活性。

GAN039-650NTB的級聯(lián)配置使其能夠提供出色的開關和導通性能，同時具有穩(wěn)健可靠的柵極結(jié)構(gòu)，能夠提供較高的噪聲容限。這一特性簡化了應用設計，無需復雜的柵極驅(qū)動器和控制電路，只需使用標準硅MOSFET驅(qū)動器即可輕松驅(qū)動這些器件。

我們相信，GAN039-650NTB將為工業(yè)和可再生能源應用領域帶來更多的創(chuàng)新和便利，為可持續(xù)能源發(fā)展做出貢獻。我們將繼續(xù)致力于推動GaN技術的發(fā)展，為客戶提供更先進、高效的解決方案。如需數(shù)據(jù)手冊、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。